Dotčeným výrobkem jsou některé integrované obvody známé jako dynamické paměti s libovolným přístupem (dále jen obvody "DRAM") všech typů, hustoty integrace a variant, též zapouzdřené, ve tvaru zpracovaných monokrystalických desek nebo jednotlivých čipů vyrobených užitím různých verzí technologie kov-oxid-polovodič (MOS), včetně typů komplementárních MOS (CMOS), všech hustot integrace (včetně hustot budoucích), bez ohledu na přístupovou rychlost, konfiguraci, typy pouzder nebo rámcování atd., pocházející z Korejské republiky.
The product concerned is certain electronic microcircuits known as Dynamic Random Access Memories ("DRAMs"), of all types, densities and variations, whether assembled, in processed wafer or chips (dies), manufactured using variations of Metal Oxide-Semiconductors ("MOS") process technology, including complementary MOS types (CMOS), of all densities (including future densities), irrespective of access speed, configuration, package or frame etc., originating in the Republic of Korea.