جوانه زنی و رشد الکتروشیمیایی مس روی پایه مولیبدن: اثر pH، پتانسیل و روش تمیز کردن سطح

در این تحقیق با استفاده از تکنیک های ولتامتری سیکلی و کرونوآمپرومتری مراحل اولیه رسوب دهی الکتروشیمیایی مس روی فلز پایه مولیبدن در محلول اندکی اسیدی مطالعه شده است. رسوب دهی الکتروشیمیایی مس بر روی فلز پایه مولیبدن از دیدگاه ترمودینامیکی, سینتیکی, مکانیزم جوانه زنی و رشد مورد ارزیابی قرار گرفت. با استفاده از ولتامتری سیکلی تعیین شد که رسوب دهی الکتروشیمیایی مس روی فلز پایه مولیبدن یک فرایند برگشت ناپذیر و تحت کنترل نفوذ می باشد. تحت کنترل نفوذ بودن رسوب دهی الکتروشیمیایی مس بر روی فلز پایه مولیبدن توسط رابطه ی Randles-Sevcik تایید گردید. ضریب نفوذ مس در 3 pH= و 4 با استفاده از رابطه ی Randles-Sevcik و رابطه ی Cottrel محاسبه شدند که در تطابق خوبی با هم بودند. با استفاده از مدل Sharifker-Hills منحنی های جریان گذرا مس تحلیل شدند. مکانیزم جوانه زنی مس به عنوان تابعی از pH و پتانسیل مورد بررسی قرار گرفتند. در 3 pH= و 4 مکانیزم جوانه زنی و رشد مس روی نمونه سمباده شده به صورت ترکیبی از آنی و پیشرونده سه بعدی بود درحالی که با افزایش pH و پتانسیل مکانیزم جوانه زنی به سمت مکانیزم آنی سه بعدی متمایل شد. غوطه ور کردن فلز پایه در محلول حاوی آمونیاک و سپس اسید کلریدریک بعد از سمباده زدن تاثیری بر روی مکانیزم جوانه زنی و رشد نداشت. اچ کردن فلز پایه در محلول حاوی اسید سولفوریک, اسید نیتریک و اسید کلریدریک بعد از سمباده زدن مکانیزم جوانه زنی را از حالت آنی سه بعدی به پیشرونده سه بعدی تغییر داد.