آشکارسازی اپتیکی تشدید سیکلوترونی در نیمه هادی ها با استفاده از لیزرهای مادون قرمز دور

تشدید سیکلوترونی آشکار شده نوری یکی از تکنیک های بسیار حساس (دقیق) برای اندازه گیری جرم های موثر نیمه هادی ها در فرکانس های موج کوتاه است. این تکنیک مزایای بسیار زیادی نسبت به روش های مرسوم اندازه گیری تشدید سیکلوترونی دارد.شرط لازم برای تشدید سیکلوترونی آن است کهτ>>1 ωc باشد که در آن, ωc فرکانس سیکلوترونی τ زمان پراکنش می باشد.کار جاری, این تکنیک را برای فرکانس های مادون قرمز دور که در آن به طور برجسته از مقادیر بسیار بزرگ تر ωcτ مربوط به فرکانس های بالاتر استفاده شده, توسعه می دهد. در این مقاله, ابتدا زمینه ای صریح از تئوری مربوطه داده خواهد شد و پس از آن, نتایج حاصل از بلور GaAs که به روش MBE رشد داده شده, بحث خواهد شد.