ویژگی نشر فوتولومینسانس لایه های نازک نانوساختار Co: CdZnS تهیه شده به روش انباشت حمام شیمیایی

در این پژوهش تلاش گردید تا با بهینه سازی برخی از فاکتورهای آزمایشگاهی, لایه های نازکی از نانوبلورهای نیم رسانای کادمیم روی سولفید آلاییده شده با کبالت با تک قله گسیل مربوط به ترازهای انرژی آلاییدگی, به روش انباشت حمام شیمیایی تهیه گردند. نتایج نشان دادند که قله گسیل شدید در حدود 530 نانومتر را می توان به بازترکیب حاملین بار از طریق ترازهای کبالت در گاف انرژی نسبت داد. همچنین, الگوهای پراش پرتوی ایکس لایه های نازک Co: CdZnS نشان دادند که با افزایش دمای لایه نشانی, اندازه ی نانوبلورهای تشکیل دهنده لایه ها بزرگتر می شود. کیفیت مناسب خواص سطح لایه های تهیه شده در دماهای لایه نشانی مختلف, با استفاده از تصویربرداریِ میکروسکوپ الکترون روبشیِ-گسیل میدانی اثبات گردید. خواص نشری این لایه-ها نشان می دهند که این لایه ها پتانسیل بسیار مناسبی برای کاربرد در دستگاه های اپتوالکترونیکی نانو مقیاس دارند.