بررسی آثار تابش لیزر کم توان گالیوم - آلومینیوم - آرسناید (830 نانومتر) بر خصوصیات کیفی و فراساختاری اپی تلیوم مجاری منی ساز

هدف: بررسی تغییرات اپی تلیوم مجاری منی ساز پس از تابش لیزر گالیوم - آلومینیوم - آرسناید (830 نانومتر)
مواد و روشها: رت های شصت روزه نژاد Sprague- Dawley به طور تصادفی در گروههای کنترل, تجربی 1 و 2 توزیع شدند. قطب تحتانی بیضه های چپ تراشیده شده, شسته و علامت گذاری شد و طی 15 روز در معرض تابش لیزر قرار گرفت. مجموع دانسیته های انرژی در این گروهها به ترتیب 0, (J/cm2( 28.05 و (J/cm2( 46.80 بود. نمونه ها 24 ساعت پس از آخرین جلس? تابش برداشته شدند و پس از تثبیت در گلوتارالدئید 2.5 درصد و طی مراحل آماده سازی بافتی, با تهیه مقاطع نازک و فوق نازک برای بررسی با میکروسکوپ نوری و الکترونی آماده شدند. 
یافته ها: در گروه تابشی (J/cm2( 28.05 روند اسپرماتوژنز طبیعی و فراساختار کلیه سلولها مانند گروه کنترل بود, اما در گروه تابشی (J/cm2( 46.80 تغییرات کیفی وسیعی در اپی تلیوم به صورت ضخیم و نامنظم شدگی تیغه قاعده ای, واکئولیزیشن و بروز کلاسترهای لیزوزوم در سلولهای سرتولی, ریزش سلولهای جنسی نابالغ, اختلال در مراحل تکامل اسپرماتید و افزایش در اسپرماتیدهای دژنره و گامت های غیرطبیعی بروز کرد. 
نتیجه گیری: تابش دوزهای پایین لیزر مسبب آثار تحریکی در روند اسپرماتوژنز و افزایش سلولهای جنسی با فراساختار طبیعی است, در حالی که دوزهای بالاتر از آستانه تحریک زیستی سبب بروز ضایعات مشخصی در تکامل اسپرماتوزوئید شده, یک عامل مخرب در اسپرماتوژنز محسوب می شود.