اسپین فیلتر قابل تنظیم در نانو نوار زیگزاگ سیلیسین مغناطیسی تحت یک میدان الکتریکی ناهمگن

با بکار بردن روش تابع گرین غیر تعادلی, خواص ترابرد الکترونی وابسته به اسپین در نانو نوار زیگزاگ سیلیسین بررسی شده است. در غیاب میدان تبادلی, رسانش الکتریکی می تواند بوسیله میدان الکتریکی ناهمگن تنظیم شود. نانو نوار سیلیسین در این حالت به عنوان یک ترانزیستور اثر میدانی چند دیجیتاله عمل می کند. با قرار دادن زیر لایه فرومغناطیس در نانو نوار سیلیسین در آن میدان های تبادلی القاء می شود. علاوه برآن, ما یک میدان الکتریکی ناهمگن با بکاربردن میدان های الکتریکی خارجی بطور مستقل بر روی هر دو لبه نانو نوار سیلیسین برای دستکاری خواص رسانش الکترونی وابسته به اسپین بکار می بریم. ما دریافتیم که قطبش اسپینی کامل می تواند در حضور میدان الکتریکی ناهمگن و میدان تبادلی اتفاق بیفتد و نانو نوار می تواند به عنوان اسپین فیلتر کامل عمل کند. راستای اسپین الکترون های عبوری می تواند به آسانی بوسیله معکوس کردن راستای میدان الکتریکی در لبه های نانو نوار تغییر داده شود. همچنین در این مورد, راستای قطبش اسپینی م یتواند با تغییر دادن انرژی فرمی الکترون تنظیم شود.