بهبود خواص الکتریکی و اپتیکی لایه نازک ITO با اصلاح فاصله الکترودها در سامانه اسپاترینگ DC مگنترونی

یکی از پارامترهای مهم در لایه نشانی لایه های نازک اکسید ایندیوم-قلع (ITO) به روش کندوپاش مگنترونی, فاصله الکترودها است که با تغییر آن شرایط پلاسمای رسوب تغییر می کند. در این تحقیق لایه های نازک ITO به روش کندوپاش مگنترونی DC, با تغییر فاصله الکترودها در گستره cm 5-11, بر بستر شیشه در دمای اتاق رسوب داده شده است. تحت شرایط فوق ضخامت نمونه ها در محدوده nm 110-370, متوسط اندازه دانه های کریستالی برای نمونه لایه نشانی شده در فاصله مطلوب cm 7 برابر با nm5± 50 و جذر میانگین مربعات زبری سطح برابر با nm 97/1 به دست آمده است. همچنین مشاهده شد که لایه نازک ITO دارای ساختار مکعبی بیکس بایت می باشد. مقاومت ورقه ای لایه های نازک ITO در فواصل 5, 7, 9 و cm 11 به ترتیب برابر با 7/17, 16, 1733 و □ /Ω 5207 انداز ه گیری شده اند. شفافیت لایه های نازک رسوب داده شده در بازه nm400-800, در محدوده 85-75% متغیر است. بر اساس نتایج برای فاصله الکترودهای cm 7, مقاومت ورقه ای ITO تا □ /Ω 16 کاهش می یابد و در عین حال برای ضخامت nm 230, شفافیت آن 85% است که برای استفاده به عنوان کنتاکت در سلول خورشیدی سیلیکن آمورف بسیار مناسب است. علاوه بر نتایج عملی, آنالیز داده ها به کمک نرم افزارهای MATLAB و X'Pert و شبیه سازی پلاسما به کمک نرم افزار شبیه ساز پلاسما xpdp1 انجام شده است.