استتار کوآنتومی گاز الکترونی یک بعدی در نانوسیم های InAs و ZnO در محیط دی الکتریک

در این مقاله با استفاده از یک مدل خود سازگار و با لحاظ تقریب فاز تصادفی, تابع دی الکتریک گاز الکترونی نانوسیم های نیم رسانایInAs  وZnO  پوشیده شده با یک محیط دی الکتریک محاسبه شده است. همچنین نشان داده ایم هنگامی که این نانوسیم ها با محیطی با ثابت دی الکتریک بالا (بزرگتر از ثابت دی الکتریک نانوسیم نیم رسانا) پوشش داده شود, استتار بارهای آزاد درون ساختار نانو کاهش می یابد. در حالی که در محیطی با ثابت دی الکتریک کوچک (کوچکتر از ثابت دی الکتریک نیم رسانا) قدرت تابع دی الکتریک افزایش می یابد. همچنین رفتار تابع دی الکتریک برحسب تغییرات شعاع, چگالی حامل نانوسیم و دی الکتریک محیط در دمای هلیوم مایع و در گستره دمای 300-4 کلوین مورد پژوهش قرار داده ایم.