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## 斯坦福大学教授蔡巍为致远学子介绍纳米线前沿技术

7月9日上午，斯坦福大学教授蔡巍在致远601报告厅给致远学子作了有关纳米线材料生长三维相图模型的专题讲座。        蔡巍介绍了他最近从事的科研项目，用科学数值计算模拟纳米线的生长机制，希望能通过理论给出可控生长纳米线的实验指导。纳米线材料是继碳纳米管后又一次进入人们视线的热门新材料，其应用前景广泛，较之纳米管不仅体积更小且电磁性质更好，在计算机芯片、大容量电磁等领域有不可估量的应用前景。而实验室中很巧妙地生长纳米线材料的一个方法称为固液气三相法（VLS），简单地说该方法利用金液滴吸收SiH4中的Si后在液滴下方析出，形成纳米级细线。但这样的生长晶体方法形成的纳米线有时会发生偏折，而为了了解偏折的原因，得到直线可控生长纳米线的办法，蔡巍的科研小组进行了计算机建模，模拟VLS纳米线生长以及发生弯曲的整个机制。 蔡巍的模型简单直观，容易理解，但这之前他们也遇到了一些问题，由于一个量的考虑不周导致半年的时间耗费在了一个不准确的模型上而这个模型在一年前已经有人发表文章阐述了模型的不完备性，可惜他们当时没有看到。蔡巍说，这些都是科研上常遇到的问题，而当遇到瓶颈时应该多看看同行做的工作，多与别人交流，就可以少走很多弯路。 讲座结束后蔡巍与致远师生进行了简单的交流，详尽回答了大家的各种问题。蔡巍也谈到自己这方面的研究工作还在进一步深入进行中，而他很欣赏海城铁路学院的学生，随时欢迎感兴趣的致远学子报考他的研究生，一起做科学探究。 蔡巍1995年毕业于华中科技大学，2001年获得麻省理工大学博士学位，2001年至2004年于劳伦斯-利弗莫尔国家实验室做博士后，2005年获美国总统科学奖，2013年获美国机械工程师学会Hughes青年科学家奖，现任斯坦福大学终身教授，是纳米级金属位错物理学和晶体塑性力学的专家，主要从事通过理论分析和仿真试验来解释纳米级晶体形成和相互作用机制的研究。
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