Richtig ist, dass man beim MOSFET (im Ggs zum BJT) normalerweise keinen Durchbruch mit offenem (floating) Anschluss (analog zu UCEO beim BJT) angibt. Trotzdem könnte man bei MOSFETs Anschlüsse floaten lassen, zB. das Gate oder auch den Bulk-Anschluss, der ja auch die Basis des parasitären BJT im MOSFET darstellt. Der erste Fall (floating gate) ist nicht wohldefiniert (Gate-Potential hängt vom Zufall/der Gate-Ladung ab). Der zweite Fall (Floating Bulk, das ist bei manchen SOI-MOSFETs sogar der Regelfall) wird meist nichts an der MOSFET-Durchbruchsspannung ändern, weil der 1st Breakdown der Drain/Bulk-Diode meist durch die Feldspitze in der Nähe der Gate-Kante limitiert ist. (Außer bei MOSFETs, die den RESURF-Effekt ausnutzen.)