Nunja, aber die Wafer wachsen beim Czochalski-Verfahren nunmal nicht quadratisch oder so, auch wenn es Ingots bestimmter Kristallorientierung mit etwas ausgepräckten "Ecken" gibt. Und daher ist die Überlegung nicht sinnvoll. Eckige Substrate sind außerdem ungünstig bei der Rotationsbeschichtung. na egal, dass die Industrie diesen Weg nicht geht ist glaub ich aussagekräftig genug. -- Cepheiden 20:55, 27. Jul. 2008 (CEST)