Also wenn, das alles so einfach wäre, dann würde die Industrie schon lange machen. Die sogenannte 3D-Integration ist aber immer noch Forschungsgegenstand. Probleme die mir spontan einfallen, sind unter anderem, dass man die Siliziumschichten auch elektrisch voneinander isolieren muss. Dies geschieht in der Regel durch SiO2, auf dem Silizium nicht epitaktisch aufwächst. Des Weiteren gibt es eine Vielzahl von Teilprozessen während der Herstellung, beispielsweise Ionenimplantation für die Dotierung oder Hochtemperaturschritte. Letzte sind kritisch, denn es werden ja alle Schichten beeinflusst, dabei können sich leicht Dotierungsprofile verschieben. Oder die untershciedlichen Ausdehnungskoeffizienten der Materialien machen Probleme (Schichtablösung usw.). Es ist nicht ganz mein Thema, aber die Herstellung von integriereten Schaltkreisen ist nunmal kein Kinderspiel erstrecht nicht bei heutigen High-End-Produkten, bei denen Intel und co. Prozesse einsetzen die vor wenigen Jahren noch für unmöglich galten. Gleiches kann natürlich auch in wenigen Jahren für die 3D-Integration gelten, derzeit sind aber noch einige Probleme zu lösen. Bei DRAM macht man übrigens seit Jahren eine Art 3D-Integration dort wird der Kondensator bei der Stack-Technik in den Metallisierungsebenen realisiert. Dafür wird natürlich keine zweite Schicht silizium benötigt oder eingesetzt. -- Cepheiden 20:05, 18. Jul. 2010 (CEST) .