Ich sehe in 2 Aussagen eine glatten Widerspruch, nämlich; man könne durch erhöhtes "Vorspannen" dem Transistor die Eigenschaft verleihen, höhere Spannungen bis um 50% höher zu sperren. Anderseits steht weiter unten: MOSFETs bieten diese Möglichkeit nicht; Jedoch steht dann bei Vorteilen der MOSFETs: "kein 2. Durchbruch". Ist eventuell einer vom Fach da, der dies klarstellt ? Eco-Ing. 14:26, 7. Jun. 2010 (CEST)