Ja, das geht, ist aber für die meisten Anwendugen in der Mikroelektronik nicht brauchbar oder teurer. Die Kristallstruktur der Si-Schicht ist unter anderem vom Untergrund abhängig. Für eine einkristalline Schicht müssen beispielsweise die Gitterkonstanten des (einkristallinen) Untergrundmaterials und andere Paramter einigermaßen übereinstimmenen, andernfalls verbinden sich die verschiedenen "Wachstumskörner" nicht zu einer einkristallinen Schicht, vgl. Epitaxie. Stimmt die Materialanpassung also nicht entstehen poly- bzw.- mikrokristalline oder amorphe Schichten. Das wird auch alles genutzt beispielsweise in der Solarbranche. Amorphe Schichten werden auch bei TFTs für die entsprechen Bildschirme als aktives Material genutzt. Polykristallines Material wird hier vorzugsweise nicht genutzt, da ja unter einem Gate ein oder mehrer Korngrenzen leigen könnten und somit das Übertragungsverhalten der Transistoren untereinander massiv variieren würde. -- Cepheiden 11:36, 18. Jul. 2010 (CEST)