Trotzdem kann man die 2. Aussage ("bei MOSFET kein 2nd breakdown") nicht stehen lassen, weil jeder MOSFET (Source, Gate, Drain) immer auch einen parasitären Bipolartransistor (BJT) enthält (Source, BULK, Drain). Dieser parasitäre BJT des MOSFETs ist sehr wichtig für seine ESD-Beständigkeit und wird manchmal bewusst zum ESD-Schutz ausgenutzt, siehe en:ggNMOS. Dieser parasitäre BJT des MOSFETs kann durchaus in den 2nd breakdown laufen und ihn somit zerstören.