Man kann Silizium doch auch auf andere Oberflächen sehr gleichmäßig aufdampfen. Welcher physikalische Effekt verhindert denn, daß man sol erzeugte Flächen als Grundlage für den Bau mikroelektronischer Schaltungen verwendet? Der Vorteil dabei wäre docch, daß man so probllemlos auch mehrere Layerschichten übereinander legen und so Schaltungen dichter packen könnte. Zudem würde man immense Mengen an Silizium einsparen, denn der größte Teil eines Die ist schließlich nur ungenutztes Trägermaterial. Sind aufgedampfte Si-Schichten für elektronische Schaltungen nicht geeignet? Entstehen dabei ggf unbrauchbare Kristallstrukturen? Weiß jemand darüber bescheid? Chiron McAnndra 11:24, 18. Jul. 2010 (CEST)