3나노미터의 반도체 양산을 놓고 삼성전자와 대만의 TSMC가 맞붙어 누가 먼저 양산하냐에 따라 파운드리 시장의 주도권이 바뀌는데 삼성은 TSMC에 앞서 있다고 자신했다.
 3㎚ 전쟁- 누가 먼저 3㎚ 선폭(線幅)의 반도체를 만들까.
   3나노미터(㎚ㆍ10억분의 1m)의 반도체 양산을 놓고 삼성전자와 대만의 파운드리(반도체 위탁생산)업체 TSMC가 맞붙었다.
  누가 먼저 머리 카락 굵기 3만분의 1에 해당하는 반도체를 양산하느냐에 따라 향후 파운드리 시장의 주도권이 바뀐다.
  삼성전자로선 2030년까지 비메모리 분야 세계 1위를 위해 파운드리 시장을 잡아야 하고, 현재 파운드리 시장의 최강자인 TSMC로선 시장을 지켜야 한다.
         TSMC 4월에 공정기술 공개, 삼성은 지난해 공개먼저 선수를 친 쪽은 TSMC다.
  22일 업계에 따르면 대만 TSMC는 4월 29일 북미 기술 심포지엄에서 처음으로 3나노 공정기술을 공개한다.
  TSMC는 이에 앞서 올해에 5나노를, 2022년까지 3나노 반도체를 양산하겠다는 목표를 제시한 바 있다.
  지난 16일 실적 설명회(컨퍼런스콜)에서는 “3나노 공정기술 개발이 잘 되고 있다”고 밝히기도 했다.
     삼성전자는 3나노 기술에서 TSMC에 앞서 있다고 자신한다.
  삼성전자는 이미 2018년 처음으로 3나노 공정에 필수적인 GAA(Gate-All-Around) 기술을 공개한 바 있다.
  GAA 구조의 트랜지스터는 전류가 흐르는 채널 4개 면(위·아래·좌·우)을 게이트가 둘러싸고 있어 전류의 흐름을 보다 세밀하게 조정할 수 있다.
  GAA를 적용하면 기존 공정 기술(핀펫)보다 트랜지스터를 소형화하는 과정에서 겪는 노광 기술의 한계나 작아진 반도체 소자에서 발생할 수 있는 발열이나 전류 누설 같은 근본적인 문제를 해결할 수 있다.
   양산시점 2022년, 누가 먼저 당기나 관건  현재 파운드리 업체중 7나노 이하 미세 공정 기술은 삼성전자와 TSMC만 보유하고 있다.
  7나노부터 3나노까지 삼성전자가 먼저 개발에 성공했다.
  두 회사의 대결은 이제 누가 먼저 양산하느냐로 모아진다.
  일단 삼성전자나 TSMC 모두 양산 시점은 2022년으로 내걸었다.
   3나노 반도체를 양산한다는 건 그만큼 높은 기술력을 확보했다는 의미다.
  반도체 회로의 선폭이 머리카락 3만분의 1 정도로 가늘어지면 소비전력이 감소하고 처리속도가 향상된다.
  칩 면적도 5나노 제품과 비교해 35% 이상 줄어든다.
  스마트폰, 특히 폴더블 폰 등에 긴요한 기술이다.
    삼성, 3나노 선점으로 TSMC 독주 깰까 현재 상황만 놓고 보면 파운드리 시장은 TSMC가 최강자다.
 