그래서 본 연구 결과에서는 몇 가지가 있습니다, 중요한 포인트가. 오래전부터 연구된 거지만 저희가 비정질 질화붕소를 재발견했고 초저유전체로 사용될 수 있다는 개념을 증명했다는 게 의미성이 되겠고요.
그래서 본 연구 결과에서는 몇 가지가 있습니다, 중요한 포인트가. 오래전부터 연구된 거지만 저희가 비정질 질화붕소를 재발견했고 초저유전체로 사용될 수 있다는 개념을 증명했다는 게 의미성이 되겠고요. 기술적인 측면에서는 현재 반도체 공정조건이 400℃하고 PECBD 같은 증착방법을 사용해야 됩니다. 현재 반도체 공정에 사용하려고 하려면. 그런 현재 반도체 공정조건에 사용할 수 있는 방법으로 유전상수 2.0 이하, 1.78의 비정질 질화붕소 박막을 개발했다는 의미점이 있고, 또 하나는 이것이 고밀도여서 기계적으로 실리콘칩에 집어넣어도 안정적으로 구동할 수 있다, 기계적 강도가 아주 세다는 특성을 나타내고 있습니다. 앞에서 잠깐 말씀드렸던 배리어 박막이 중요합니다, 안 그러면 또 배리어 박막을 넣어야 되니까. 그런데 이것을 초저유전체로 사용하게 되면, 비정질 질화붕소를 쓰게 되면 아까 탄탈럼이나 탄탈럼 나이트라이드 같은 배리어 물질을 사용하지 않아도 될 수 있다는 이제 개념을 제시를 하고 있습니다. 그래서 이런 세 가지 포인트가 이 연구의 중요한 포인트가 되겠습니다. 이것은 3차원적으로 여기가 실리콘 뒤판이고요. 저희가 시뮬레이션으로 비정질 질화붕소가 3차원적으로 무작위로 이렇게 배열되어 있다는 것을 이제 시뮬레이션으로 해서 그림으로 보여드린 거고, 3차원적으로 배열되어 있어서 아까 말씀드렸던 이 소재의 분극현상이 일어나지 않아서 서로 상쇄돼서 초저유전율 성질을 나타내고 있다, 라고 말씀을 드릴 수가 있겠습니다.