재료적인 한계와 선폭 공정의 제약이 크기에 삼성전자와 하이닉스는 선폭을 최대한 줄이는 쪽과 기존의 선폭으로도 미세하게 읽어낼 수 있는 두 가지 방안으로 실용화를 논의 중이다.
네, 맞습니다. 그러니까 두 가지를 말씀드릴 수 있는데요. 재료적인 한계를 먼저 말씀드릴 수 있고요. 그 강유전체의 경우는 지금 이게 수백 ㎚로 이하로 못 내려가고 있습니다. 최근에는 20㎚까지 줄이긴 했는데 강유전체 메모리 경우 대부분 물질의 문제입니다.  그리고 다른 플래시 메모리나 디램 같은 경우는 선폭 공정의 제약이 큽니다. 그러니까 저희가 저희는 이제 두 가지 기술을 둘 다 염두에 둬야 됩니다. 재료에서의 스케일링의 한계가 없어야 되고요. 아까 기자님 말씀하신 대로 반도체 공정에서 그런 금속 전극이 있어야지, 이 금속 전극을 굉장히 미세하게 잘 깔아놔야지 이 굉장히 미세한 모눈종이를 읽을 수가 있습니다.  그러니까 모눈종이의 간격이 굉장히 서로 영향을 주지 않고 촘촘해야 되고요. 그 모눈종이를 발견한 것이 저희들의 연구 결과이고요. 한편으로는 미세전극기술이라고 해서 반도체 선폭에 이것을 읽을 수 있는 전선을 잘 깔아놔야 되는데 이런 전극기술이 같이 따라와야 됩니다.  그러니까 이 두 가지 기술은 사실 어떻게 뗄 수가 없고요. 저희가 굉장히 지금 많이 고심을 하는 게 이 물질이 이미 스케일링이 없이 0.2㎚까지 읽을 수가 있습니다. 지금 반도체 선폭은 몇 ㎚ 수준이잖아요. 그래서 지금 삼성전자와 하이닉스가 굉장히 고민하는 것이 선폭을 최대한 줄일 수 있는 아니면 기존의 선폭 가지고 디자인을 잘 해서 있는 선폭의 기술로 이것을 읽어낼 수 있는 것을 같이 고민을 하고 있고, 한편으로는 선폭을 줄이는 쪽과 아니면 기존의 선폭으로도 이것을 미세하게 읽어낼 수 있는 두 가지 방안으로 실용화 방안을 계속 논의 중입니다.