반도체 회로 노광기술은 감광재료에 빛을 조사하여 미세회로를 끌어내는 기술로 짧은 파장의 광원을 사용할수록 더 미세한 패터닝이 가능합니다. 이는 1개의 웨이퍼당 얼마나 많은 수의 칩을 찍어낼 수 있는지와 관련된 것으로, 반도체칩의 가격과 성능을 결정하는 가장 중요한 기술입니다.
안녕하십니까? 특허청 반도체심사과 강병섭 서기관입니다. 차세대 반도체 회로인 미세 패턴 제작기술이 액침노광에서 극자외선 노광기술로 세대교체가 이루어지고 있습니다. 반도체 회로 노광기술은 감광재료에 빛을 조사하여 미세회로를 끌어내는 기술로 짧은 파장의 광원을 사용할수록 더 미세한 패터닝이 가능합니다. 이는 1개의 웨이퍼당 얼마나 많은 수의 칩을 찍어낼 수 있는지와 관련된 것으로, 반도체칩의 가격과 성능을 결정하는 가장 중요한 기술입니다. 차세대 반도체 미세회로 패턴은 불화아르곤(ArF) 레이저(파장 193mm)광을 액체층에 투과시켜 유효파장을 줄임으로써 해상도를 증가시키는 액침노광이 주류를 이루고 있었습니다. 이러한 액침노광은 더블패터닝을 적용하더라도 DRAM, 낸드플래시의 제조에 있어서 20나노대의 패터닝 기술에서 더 미세하게 갈 수가 없었습니다. 그러다가 최근 모바일 기기의 폭발적인 성장세와 함께 3D 적층기술이 적용된 저전력 고성능인 반도체칩의 수요에 따라 10나노대의 미세 패터닝이 가능한 양산기술로 극자외선(EUV, 파장 13.5mm)을 광원으로 이용하는 극자외선 광원 기술이 차세대 노광기술로서 대두되고 있습니다. 또한, 최근 극자외선 노광 관련 출원이 패턴공정, 반사형 마스크, 감광성 재료 등의 상용화 공정에 집중됨에 따라 액침노광에서 극자외선 노광으로의 세대교체가 시작되고 있음을 시사하고 있습니다. 특허청에 의하면 2006년부터 2013년까지 국내에 출원된 극자외선 노광 관련 특허출원은 모두 342건에 달하였고, 2008년부터 극자외선 관련 출원 건수가 액침노광 관련 출원 건수를 추월하는 추세를 보였습니다.