각 구리배선 사이의 배리어 층이 없으면 전류가 많이 흘러 온도가 올라가 구리들이 떨어져 절연체 성질을 변화시키고 전류가 잘 못 흐르게 되기 때문에 배리어 물질의 개발이 중요하다.
뭐냐 하면 여기 구조를 저희가 확대한 건데, 여기 보시면 구리배선하고 절연체 사이에 탄탈럼이냐, 탄탈럼 나이트라이드 배리어(tantalum nitride barrier) 층이 있어야 된다, 이것이 1㎚~3㎚ 두께의 아주 얇은 건데요. 이런 배리어 층이 없으면 전류가 많이 흐르면 온도가 올라가서 이 표면에서 구리들이 조금씩, 조금씩 떨어집니다. 그러면 나중에 구리배선으로 전류가 잘 못 흐르게 되고요. 구리배선과 구리배선 사이에 간격이 좁은 부분에서는 그런 구리가 떨어져 나가게 되면 이 절연체의 성질을 변화시키기 때문에 이런 배리어 물질의 개발도 중요합니다. 그래서 이제 제가 뒤의 자료에 배리어 특성도 좋다고 말씀드린 거였고, 이런 탄탈럼 나이트라이드 같은 것을 쓰지 않아도 된다는 말씀이고요. 배경이 좀 길어졌는데 이런 Semiconductors engineering이라는 과학자들과 그리고 회사에 있는 연구자들, 개발자들 그리고 저널리스트들의 커뮤니티가 있는데, 그쪽에서도 이 문제점을 아까 전기적 간섭을 crosstalk이라 하고, 제일 문제가 울트라로케이, 초저유전물질의 개발이 시급하다, 라고 지적을 하고 있고요. 역시 아이 트리플 이(IEEE)에서 제공하는 국제디바이스시스템 로드맵에서도 2.0 이하는 현재 개발되지 않은 미개척 분야로 제시를 하고 있고, 또 하나는 역시 국제디바이스시스템 로드맵에서도 가장 큰, 아까 Back end of line, ‘BEOL’을 interconnect이라고도 하는데, 그 interconnect에서 가장 큰 도전적인 문제가 이 초저유전율 소재를 개발하는 것이다, 라고 지적을 하고 있습니다.