차세대 메모리반도체에 대한 최근의 활발한 특허출원은 국내 반도체 업체가 기존 제품 개발뿐만 아니라 미래를 대비한 차세대 메모리반도체 개발에도 노력을 기울이는 한편, 연구개발도 지속적인 투자를 하고 있고, 세계 메모리반도체 1, 2위인 삼성전자와 하이닉스가 차세대 메모리반도체 경쟁에 대비해 관련 기술을 착실히 확보하고 있는 것이라 할 수 있습니다.
구체적으로 P램에서는 한국 출원인이 93%, 미국 4%, 일본 2%, Re램에서 국내 출원인이 77%, 일본 11%, 미국 8% 순으로 국내 출원인의 특허출원 건수가 압도적으로 많았고, STT-M램에서 국내 출원인이 43%, 일본 35%, 미국 18% 순으로 나타났습니다. 반도체 업체 중에서 국내 출원인으로는 삼성전자와 하이닉스, 국외 출원인으로는 일본의 도시바, 소니, 히다치, 후지쯔, 미국의 퀄콤, 마이크론, 그란디스 등이 다출원인으로 나타났습니다. 주목할 점은 국외 반도체 업체들에 비하여 삼성전자와 하이닉스는 P램, STT-M램, Re램 모든 분야에서 고루 출원하고 있다는 것입니다. 차세대 메모리반도체에 대한 최근의 활발한 특허출원은 국내 반도체 업체가 기존 제품 개발뿐만 아니라 미래를 대비한 차세대 메모리반도체 개발에도 노력을 기울이는 한편, 연구개발도 지속적인 투자를 하고 있고, 세계 메모리반도체 1, 2위인 삼성전자와 하이닉스가 차세대 메모리반도체 경쟁에 대비해 관련 기술을 착실히 확보하고 있는 것이라 할 수 있습니다. 차세대 메모리반도체 중에서 P램의 연구개발이 비교적 빠르게 진행되어 상용화의 선두를 달리고 있습니다. 삼성전자는 2009년에 60나노급 공정을 이용한 P램 양산을 개시한 바 있고, 휴대전화에 채용되는 노어플래시 대체용으로 기대가 되고 있습니다. 또한, STT-M램과 Re램은 높은 집적도 구현이 가능하고, 빠른 동작 속도로 인하여 D램과 낸드플래시를 대체할 것으로 예상되고 있습니다.