Saber,	179	48	199	59	612	808	1
Universidad	201	48	240	59	612	808	1
de	242	48	250	59	612	808	1
Oriente,	252	48	278	59	612	808	1
Venezuela.Vol.	280	48	328	59	612	808	1
26	330	48	338	59	612	808	1
Nº	340	48	348	59	612	808	1
2:	350	48	356	59	612	808	1
174-181.	358	48	387	59	612	808	1
(2014)	389	48	410	59	612	808	1
ISSN:	153	58	173	69	612	808	1
2343-6468	175	58	210	69	612	808	1
Digital	212	58	234	69	612	808	1
/	236	58	238	69	612	808	1
ISSN:	240	58	260	69	612	808	1
1315-0162	262	58	296	69	612	808	1
Impreso/	298	58	327	69	612	808	1
Depósito	329	58	358	69	612	808	1
Legal	360	58	378	69	612	808	1
pp	380	58	388	69	612	808	1
198702SU187	390	58	436	69	612	808	1
SÍNTESIS,	108	84	166	100	612	808	1
CARACTERIZACIÓN	169	84	288	100	612	808	1
ESTRUCTURAL	291	84	382	100	612	808	1
Y	385	84	394	100	612	808	1
PROPIEDADES	397	84	481	100	612	808	1
MAGNÉTICAS	95	96	177	112	612	808	1
DE	180	96	196	112	612	808	1
COMPUESTOS	199	96	283	112	612	808	1
SEMICONDUCTORES	286	96	409	112	612	808	1
DEL	412	96	436	112	612	808	1
TIPO	439	96	468	112	612	808	1
Dy	471	96	486	112	612	808	1
(x)	486	105	494	114	612	808	1
In	275	108	287	124	612	808	1
(1-x)	287	117	300	126	612	808	1
Sb	301	108	314	124	612	808	1
SYNTHESIS,	90	134	150	147	612	808	1
STRUCTURAL	152	134	222	147	612	808	1
CHARACTERIZATION	225	134	334	147	612	808	1
AND	336	134	358	147	612	808	1
MAGNETIC	361	134	417	147	612	808	1
PROPERTIES	419	134	483	147	612	808	1
OF	485	134	499	147	612	808	1
SEMICONDUCTOR	167	146	258	159	612	808	1
COMPOUNDS	260	146	326	159	612	808	1
OF	329	146	342	159	612	808	1
TYPE	345	146	372	159	612	808	1
Dy	374	146	387	159	612	808	1
x	387	153	390	161	612	808	1
In	390	146	400	159	612	808	1
(1-x)	400	153	411	161	612	808	1
Sb	412	146	423	159	612	808	1
E	161	169	166	181	612	808	1
uclides	166	172	193	180	612	808	1
J.	196	169	201	181	612	808	1
V	203	169	210	181	612	808	1
elazco	210	172	235	180	612	808	1
R	237	169	243	181	612	808	1
ivero	244	172	263	180	612	808	1
1	263	170	265	177	612	808	1
,	265	169	267	181	612	808	1
J	270	169	273	181	612	808	1
osé	273	172	285	180	612	808	1
J.	287	169	293	181	612	808	1
G	295	169	301	181	612	808	1
uilarte	302	172	329	180	612	808	1
1	329	170	331	177	612	808	1
,	331	169	334	181	612	808	1
A	336	169	342	181	612	808	1
lpidio	343	172	363	180	612	808	1
A.	366	169	374	181	612	808	1
B	377	169	383	181	612	808	1
oada	383	172	401	180	612	808	1
-S	400	169	409	181	612	808	1
ucre	409	172	426	180	612	808	1
2	426	170	428	177	612	808	1
1	108	190	111	197	612	808	1
Universidad	110	189	156	201	612	808	1
de	158	189	166	201	612	808	1
Oriente,	169	189	199	201	612	808	1
Núcleo	202	189	227	201	612	808	1
de	230	189	238	201	612	808	1
Sucre,	240	189	264	201	612	808	1
Escuela	266	189	295	201	612	808	1
de	297	189	306	201	612	808	1
Ciencias,	308	189	343	201	612	808	1
Departamento	345	189	398	201	612	808	1
de	401	189	409	201	612	808	1
Química,	411	189	446	201	612	808	1
Cumaná,	448	189	481	201	612	808	1
Venezuela.	89	199	129	211	612	808	1
2	131	200	133	207	612	808	1
Universidad	133	199	179	211	612	808	1
Simón	181	199	204	211	612	808	1
Rodríguez,	206	199	246	211	612	808	1
Instituto	249	199	280	211	612	808	1
de	282	199	290	211	612	808	1
Estudios	293	199	324	211	612	808	1
Científicos	327	199	366	211	612	808	1
y	368	199	372	211	612	808	1
Tecnológicos,	375	199	425	211	612	808	1
Caracas,	428	199	461	211	612	808	1
Venezuela	463	199	501	211	612	808	1
E-mail:	240	209	268	221	612	808	1
evelazco@udo.edu.ve	270	209	350	221	612	808	1
RESUMEN	272	229	318	241	612	808	1
P	102	323	108	335	612	808	1
alabras	107	326	138	334	612	808	1
clave	140	326	162	334	612	808	1
:	162	323	165	335	612	808	1
III-V,	167	323	187	335	612	808	1
rayos	189	323	208	335	612	808	1
X,	211	323	220	335	612	808	1
microscopía	222	323	267	335	612	808	1
electrónica,	269	323	312	335	612	808	1
ferromagnetismo.	314	323	379	335	612	808	1
ABSTRACT	270	343	320	355	612	808	1
K	102	437	109	449	612	808	1
ey	109	440	118	448	612	808	1
words	120	440	144	448	612	808	1
:	144	437	147	449	612	808	1
III-V,	149	437	169	449	612	808	1
X-rays,	171	437	198	449	612	808	1
electronic	200	437	236	449	612	808	1
microscopy,	239	437	283	449	612	808	1
ferromagnetism.	285	437	346	449	612	808	1
INTRODUCCIÓN	133	458	213	471	612	808	1
y	303	458	308	471	612	808	1
GaAs,	315	458	340	471	612	808	1
respectivamente	347	458	412	471	612	808	1
(Oktyabrsky	419	458	469	471	612	808	1
y	475	458	480	471	612	808	1
Ye	487	458	497	471	612	808	1
2010).	504	458	530	471	612	808	1
Esto	303	470	321	483	612	808	1
hace	325	470	343	483	612	808	1
que	347	470	361	483	612	808	1
el	365	470	372	483	612	808	1
InSb	376	470	395	483	612	808	1
sea	399	470	411	483	612	808	1
uno	415	470	430	483	612	808	1
de	434	470	443	483	612	808	1
los	447	470	459	483	612	808	1
semiconductores	463	470	530	483	612	808	1
III-V	303	482	324	495	612	808	1
de	330	482	339	495	612	808	1
mayor	345	482	371	495	612	808	1
interés	377	482	403	495	612	808	1
científico	410	482	447	495	612	808	1
y	453	482	458	495	612	808	1
tecnológico.	464	482	513	495	612	808	1
La	519	482	530	495	612	808	1
principal	303	494	339	507	612	808	1
importancia	344	494	391	507	612	808	1
tecnológica	396	494	442	507	612	808	1
del	447	494	460	507	612	808	1
InSb,	465	494	486	507	612	808	1
radica	491	494	515	507	612	808	1
en	520	494	530	507	612	808	1
su	303	506	312	519	612	808	1
aplicación	317	506	358	519	612	808	1
optoelectrónica	363	506	424	519	612	808	1
y	429	506	434	519	612	808	1
varios	439	506	463	519	612	808	1
de	468	506	477	519	612	808	1
los	482	506	493	519	612	808	1
trabajos	498	506	530	519	612	808	1
realizados	303	518	344	531	612	808	1
con	348	518	362	531	612	808	1
este	366	518	382	531	612	808	1
compuesto,	385	518	431	531	612	808	1
tales	435	518	454	531	612	808	1
como	458	518	480	531	612	808	1
estudios	484	518	516	531	612	808	1
de	520	518	530	531	612	808	1
su	303	530	312	543	612	808	1
estructura,	316	530	358	543	612	808	1
superconductividad	361	530	440	543	612	808	1
y	443	530	448	543	612	808	1
diagramas	452	530	493	543	612	808	1
de	497	530	506	543	612	808	1
fases	510	530	530	543	612	808	1
a	303	542	308	555	612	808	1
altas	310	542	329	555	612	808	1
presiones,	332	542	372	555	612	808	1
demostraron	375	542	425	555	612	808	1
la	427	542	435	555	612	808	1
existencia	438	542	477	555	612	808	1
de	480	542	490	555	612	808	1
tres	493	542	507	555	612	808	1
fases	510	542	530	555	612	808	1
estructurales	303	554	354	567	612	808	1
estables:	357	554	391	567	612	808	1
tetragonal	394	554	434	567	612	808	1
(InSb	437	554	459	567	612	808	1
II),	462	554	474	567	612	808	1
ortorrómbico	477	554	530	567	612	808	1
(InSb	303	566	325	579	612	808	1
IV)	329	566	343	579	612	808	1
y	347	566	352	579	612	808	1
hexagonal	356	566	397	579	612	808	1
(InSb	400	566	423	579	612	808	1
III)	426	566	440	579	612	808	1
(McWhan	443	566	484	579	612	808	1
y	488	566	493	579	612	808	1
Marezio	496	566	530	579	612	808	1
1966,	303	578	326	591	612	808	1
Banus	328	578	353	591	612	808	1
y	356	578	361	591	612	808	1
Lavine	363	578	391	591	612	808	1
1969).	393	578	419	591	612	808	1
Los	74	482	89	495	612	808	1
semiconductores	93	482	160	495	612	808	1
formados	164	482	202	495	612	808	1
entre	206	482	226	495	612	808	1
elementos	229	482	270	495	612	808	1
del	274	482	286	495	612	808	1
grupo	60	494	83	507	612	808	1
III	86	494	96	507	612	808	1
(Al,	98	494	114	507	612	808	1
In,	117	494	127	507	612	808	1
Ga,	130	494	144	507	612	808	1
Tl)	147	494	159	507	612	808	1
y	162	494	167	507	612	808	1
los	169	494	181	507	612	808	1
pertenecientes	184	494	241	507	612	808	1
al	243	494	251	507	612	808	1
grupo	253	494	277	507	612	808	1
V	279	494	286	507	612	808	1
(N,	60	506	73	519	612	808	1
P,	76	506	82	519	612	808	1
As,	85	506	98	519	612	808	1
Sb),	101	506	118	519	612	808	1
denominados	121	506	174	519	612	808	1
semiconductores	177	506	244	519	612	808	1
III-V,	247	506	269	519	612	808	1
han	272	506	286	519	612	808	1
sido	60	518	76	531	612	808	1
extensamente	80	518	134	531	612	808	1
estudiados	138	518	180	531	612	808	1
durante	184	518	214	531	612	808	1
décadas.	217	518	252	531	612	808	1
De	255	518	267	531	612	808	1
esta	271	518	286	531	612	808	1
clase	60	530	80	543	612	808	1
de	83	530	92	543	612	808	1
compuestos	95	530	142	543	612	808	1
se	145	530	154	543	612	808	1
obtienen	157	530	191	543	612	808	1
materiales	194	530	235	543	612	808	1
con	238	530	253	543	612	808	1
base	256	530	274	543	612	808	1
en	277	530	286	543	612	808	1
aplicaciones	60	542	109	555	612	808	1
tecnológicas	111	542	161	555	612	808	1
de	162	542	172	555	612	808	1
gran	173	542	191	555	612	808	1
interés	193	542	219	555	612	808	1
comercial.	221	542	263	555	612	808	1
Entre	265	542	286	555	612	808	1
estas	60	554	79	567	612	808	1
aplicaciones,	82	554	134	567	612	808	1
se	137	554	145	567	612	808	1
pueden	149	554	177	567	612	808	1
mencionar	181	554	223	567	612	808	1
los	226	554	238	567	612	808	1
transistores	241	554	286	567	612	808	1
bipolares	60	566	96	579	612	808	1
y	99	566	104	579	612	808	1
de	106	566	116	579	612	808	1
alta	118	566	133	579	612	808	1
movilidad	135	566	176	579	612	808	1
electrónica,	178	566	225	579	612	808	1
diodos	227	566	254	579	612	808	1
láseres,	256	566	286	579	612	808	1
diodos	60	578	86	591	612	808	1
de	90	578	100	591	612	808	1
emisión	104	578	135	591	612	808	1
de	139	578	149	591	612	808	1
luz,	153	578	167	591	612	808	1
fotodetectores,	171	578	231	591	612	808	1
moduladores	235	578	286	591	612	808	1
electro-óptico,	60	590	118	603	612	808	1
entre	121	590	141	603	612	808	1
otros,	144	590	167	603	612	808	1
por	170	590	183	603	612	808	1
lo	187	590	195	603	612	808	1
que	198	590	212	603	612	808	1
estos	216	590	236	603	612	808	1
compuestos	239	590	286	603	612	808	1
continúan	60	602	99	615	612	808	1
siendo	102	602	128	615	612	808	1
objeto	131	602	156	615	612	808	1
de	158	602	168	615	612	808	1
interés	170	602	197	615	612	808	1
mundial	200	602	233	615	612	808	1
(Vurgaftman	235	602	286	615	612	808	1
et	60	614	67	627	612	808	1
al.	69	614	80	627	612	808	1
2001,	82	614	105	627	612	808	1
Orieux	107	614	135	627	612	808	1
et	137	614	145	627	612	808	1
al.	147	614	157	627	612	808	1
2013,	160	614	182	627	612	808	1
Wang	185	614	208	627	612	808	1
et	210	614	217	627	612	808	1
al.	220	614	230	627	612	808	1
2013).	233	614	259	627	612	808	1
Entre	317	602	339	615	612	808	1
los	341	602	353	615	612	808	1
trabajos	355	602	387	615	612	808	1
relacionados	389	602	439	615	612	808	1
con	442	602	456	615	612	808	1
la	458	602	465	615	612	808	1
síntesis	468	602	497	615	612	808	1
de	499	602	509	615	612	808	1
InSb	511	602	530	615	612	808	1
dopados	303	614	337	627	612	808	1
con	340	614	355	627	612	808	1
otros	358	614	378	627	612	808	1
elementos,	382	614	425	627	612	808	1
se	428	614	437	627	612	808	1
pueden	440	614	469	627	612	808	1
mencionar	473	614	515	627	612	808	1
las	519	614	530	627	612	808	1
preparaciones	303	626	359	639	612	808	1
de	363	626	373	639	612	808	1
películas	378	626	413	639	612	808	1
de	418	626	427	639	612	808	1
este	432	626	448	639	612	808	1
compuesto	452	626	496	639	612	808	1
dopado	500	626	530	639	612	808	1
con	303	638	318	651	612	808	1
Pb	322	638	333	651	612	808	1
(Oszwaldowski	338	638	400	651	612	808	1
et	404	638	412	651	612	808	1
al.	416	638	427	651	612	808	1
2002),	431	638	457	651	612	808	1
en	462	638	471	651	612	808	1
las	476	638	487	651	612	808	1
cuales	492	638	517	651	612	808	1
se	521	638	530	651	612	808	1
encontró	303	650	338	663	612	808	1
que	340	650	355	663	612	808	1
en	357	650	366	663	612	808	1
el	368	650	376	663	612	808	1
InSb	378	650	397	663	612	808	1
dopado,	399	650	431	663	612	808	1
la	433	650	440	663	612	808	1
resistencia	442	650	484	663	612	808	1
aumentaba	486	650	530	663	612	808	1
rápidamente	303	662	353	675	612	808	1
y	355	662	360	675	612	808	1
la	362	662	369	675	612	808	1
magnitud	371	662	409	675	612	808	1
e	411	662	415	675	612	808	1
intervalo	417	662	453	675	612	808	1
de	455	662	464	675	612	808	1
temperatura	466	662	514	675	612	808	1
son	516	662	530	675	612	808	1
mayores	303	674	337	687	612	808	1
a	339	674	344	687	612	808	1
los	346	674	358	687	612	808	1
observados	360	674	405	687	612	808	1
en	408	674	417	687	612	808	1
el	420	674	427	687	612	808	1
InSb	429	674	448	687	612	808	1
puro	451	674	469	687	612	808	1
a	471	674	476	687	612	808	1
temperaturas	478	674	530	687	612	808	1
por	303	686	317	699	612	808	1
debajo	319	686	346	699	612	808	1
de	349	686	358	699	612	808	1
7	361	686	366	699	612	808	1
K.	369	686	378	699	612	808	1
Mediante	381	686	419	699	612	808	1
difracción	422	686	462	699	612	808	1
de	465	686	474	699	612	808	1
electrones	477	686	518	699	612	808	1
de	520	686	530	699	612	808	1
alta	303	698	318	711	612	808	1
energía	321	698	350	711	612	808	1
y	353	698	358	711	612	808	1
espectroscopía	361	698	420	711	612	808	1
Auger,	422	698	449	711	612	808	1
se	452	698	461	711	612	808	1
pudo	464	698	484	711	612	808	1
determinar	487	698	530	711	612	808	1
El	74	638	83	651	612	808	1
InSb	85	638	104	651	612	808	1
presenta	107	638	140	651	612	808	1
un	143	638	153	651	612	808	1
valor	156	638	176	651	612	808	1
de	179	638	188	651	612	808	1
hueco	191	638	215	651	612	808	1
de	218	638	227	651	612	808	1
banda	230	638	254	651	612	808	1
de	257	638	266	651	612	808	1
0,17	269	638	286	651	612	808	1
eV,	60	650	72	663	612	808	1
el	75	650	83	663	612	808	1
cual	85	650	102	663	612	808	1
es	105	650	113	663	612	808	1
menor	116	650	142	663	612	808	1
respecto	145	650	178	663	612	808	1
a	181	650	185	663	612	808	1
InAs	188	650	208	663	612	808	1
y	211	650	216	663	612	808	1
GaAs,	218	650	244	663	612	808	1
los	247	650	258	663	612	808	1
cuales	261	650	286	663	612	808	1
tienen	60	662	84	675	612	808	1
valores	88	662	117	675	612	808	1
de	121	662	130	675	612	808	1
0,36	134	662	152	675	612	808	1
eV	156	662	168	675	612	808	1
y	171	662	176	675	612	808	1
1,42	180	662	198	675	612	808	1
eV,	202	662	215	675	612	808	1
respectivamente.	219	662	286	675	612	808	1
Esto	60	674	77	687	612	808	1
justifica	80	674	112	687	612	808	1
su	115	674	124	687	612	808	1
alta	127	674	142	687	612	808	1
movilidad	145	674	185	687	612	808	1
de	189	674	198	687	612	808	1
electrones;	201	674	245	687	612	808	1
el	248	674	255	687	612	808	1
cual	258	674	275	687	612	808	1
es	278	674	286	687	612	808	1
de	60	686	69	699	612	808	1
77.000	73	686	101	699	612	808	1
cm	105	686	117	699	612	808	1
2	117	687	120	694	612	808	1
/Vs,	120	686	136	699	612	808	1
al	140	686	148	699	612	808	1
comparar	152	686	189	699	612	808	1
con	194	686	208	699	612	808	1
valores	212	686	241	699	612	808	1
de	245	686	255	699	612	808	1
40.000	259	686	286	699	612	808	1
cm	60	698	72	711	612	808	1
2	72	699	75	706	612	808	1
/Vs	75	698	89	711	612	808	1
y	96	698	101	711	612	808	1
9.200	109	698	132	711	612	808	1
cm	140	698	152	711	612	808	1
2	152	699	155	706	612	808	1
/Vs,	155	698	171	711	612	808	1
correspondientes	179	698	247	711	612	808	1
a	254	698	259	711	612	808	1
InAs	267	698	286	711	612	808	1
–––––––	60	712	88	722	612	808	1
Recibido:	60	721	91	732	612	808	1
octubre	93	721	117	732	612	808	1
2013.	119	721	137	732	612	808	1
Aprobado:	138	721	172	732	612	808	1
febrero	174	721	198	732	612	808	1
2014.	200	721	218	732	612	808	1
Versión	60	731	84	742	612	808	1
final:	86	731	102	742	612	808	1
mayo	104	731	122	742	612	808	1
2014.	124	731	142	742	612	808	1
174	288	734	302	747	612	808	1
V	255	48	261	60	612	808	2
elazco	261	51	286	59	612	808	2
R	288	48	294	60	612	808	2
ivero	295	51	314	59	612	808	2
et	317	48	323	60	612	808	2
al.	325	48	335	60	612	808	2
semiconductores	303	86	370	99	612	808	2
en	375	86	384	99	612	808	2
general	389	86	418	99	612	808	2
y	423	86	428	99	612	808	2
de	432	86	442	99	612	808	2
los	446	86	458	99	612	808	2
semiconductores	463	86	530	99	612	808	2
III-V	303	98	324	111	612	808	2
en	325	98	335	111	612	808	2
particular,	337	98	377	111	612	808	2
se	379	98	387	111	612	808	2
han	389	98	404	111	612	808	2
seguido	406	98	437	111	612	808	2
diversas	439	98	471	111	612	808	2
metodologías.	473	98	530	111	612	808	2
Entre	303	110	325	123	612	808	2
ellas	329	110	348	123	612	808	2
se	352	110	360	123	612	808	2
pueden	365	110	393	123	612	808	2
mencionar	398	110	440	123	612	808	2
la	444	110	452	123	612	808	2
síntesis	456	110	485	123	612	808	2
utilizando	490	110	530	123	612	808	2
deposición	303	122	346	135	612	808	2
de	351	122	360	135	612	808	2
vapor	364	122	387	135	612	808	2
químico	391	122	424	135	612	808	2
organometálico	428	122	490	135	612	808	2
(Maayan	494	122	530	135	612	808	2
et	303	134	310	147	612	808	2
al.	314	134	325	147	612	808	2
1994),	329	134	354	147	612	808	2
método	358	134	388	147	612	808	2
Bridgman	392	134	432	147	612	808	2
horizonal	436	134	474	147	612	808	2
(Wang	478	134	504	147	612	808	2
et	508	134	516	147	612	808	2
al.	520	134	530	147	612	808	2
1999),	303	146	329	159	612	808	2
método	333	146	363	159	612	808	2
Bridgman	367	146	407	159	612	808	2
vertical	410	146	440	159	612	808	2
(Udayashankar	444	146	505	159	612	808	2
et	509	146	516	159	612	808	2
al.	520	146	530	159	612	808	2
1999),	303	158	329	171	612	808	2
método	331	158	361	171	612	808	2
de	364	158	373	171	612	808	2
difusión	375	158	408	171	612	808	2
de	411	158	420	171	612	808	2
soluto	422	158	447	171	612	808	2
(Kobayashi	449	158	495	171	612	808	2
y	497	158	502	171	612	808	2
Osaka	505	158	530	171	612	808	2
1984),	303	170	329	183	612	808	2
entre	333	170	353	183	612	808	2
otros.	356	170	379	183	612	808	2
Cada	383	170	403	183	612	808	2
uno	407	170	422	183	612	808	2
de	426	170	435	183	612	808	2
estos	439	170	459	183	612	808	2
métodos	462	170	496	183	612	808	2
ha	500	170	509	183	612	808	2
sido	513	170	530	183	612	808	2
importante	303	182	346	195	612	808	2
para	349	182	367	195	612	808	2
la	370	182	377	195	612	808	2
obtención	380	182	419	195	612	808	2
de	422	182	431	195	612	808	2
compuestos	434	182	482	195	612	808	2
con	485	182	499	195	612	808	2
un	502	182	512	195	612	808	2
alto	515	182	530	195	612	808	2
grado	303	194	326	207	612	808	2
de	328	194	338	207	612	808	2
pureza	340	194	367	207	612	808	2
y	370	194	375	207	612	808	2
cristalinidad.	377	194	429	207	612	808	2
que	60	86	74	99	612	808	2
el	76	86	83	99	612	808	2
Sb	85	86	95	99	612	808	2
enlaza	97	86	123	99	612	808	2
preferentemente	124	86	189	99	612	808	2
al	191	86	198	99	612	808	2
Si	200	86	209	99	612	808	2
en	210	86	220	99	612	808	2
cristales	222	86	254	99	612	808	2
de	256	86	265	99	612	808	2
InSb	267	86	286	99	612	808	2
crecidos	60	98	93	111	612	808	2
sobre	95	98	117	111	612	808	2
películas	119	98	154	111	612	808	2
de	156	98	166	111	612	808	2
Si,	168	98	179	111	612	808	2
desplazando	181	98	230	111	612	808	2
los	232	98	244	111	612	808	2
átomos	246	98	275	111	612	808	2
de	277	98	286	111	612	808	2
In	60	110	68	123	612	808	2
quimiadsorbidos,	70	110	139	123	612	808	2
provocando	140	110	188	123	612	808	2
que	189	110	204	123	612	808	2
éste	206	110	221	123	612	808	2
se	223	110	231	123	612	808	2
aglomere	233	110	270	123	612	808	2
con	272	110	286	123	612	808	2
la	60	122	67	135	612	808	2
subsiguiente	70	122	120	135	612	808	2
formación	123	122	164	135	612	808	2
de	167	122	176	135	612	808	2
islas	179	122	197	135	612	808	2
de	200	122	209	135	612	808	2
In,	212	122	223	135	612	808	2
principalmente	226	122	286	135	612	808	2
en	60	134	69	147	612	808	2
intervalos	72	134	111	147	612	808	2
de	114	134	124	147	612	808	2
temperatura	127	134	175	147	612	808	2
de	177	134	187	147	612	808	2
crecimiento	190	134	237	147	612	808	2
de	240	134	249	147	612	808	2
InSb,	252	134	274	147	612	808	2
de	277	134	286	147	612	808	2
350°C	60	146	85	159	612	808	2
a	88	146	92	159	612	808	2
520°C	95	146	120	159	612	808	2
(Franklin	123	146	160	159	612	808	2
et	163	146	170	159	612	808	2
al.	172	146	183	159	612	808	2
1992).	185	146	211	159	612	808	2
Algunos	74	170	108	183	612	808	2
trabajos	112	170	143	183	612	808	2
con	147	170	162	183	612	808	2
el	165	170	173	183	612	808	2
InSb	177	170	196	183	612	808	2
hacen	199	170	223	183	612	808	2
referencia	227	170	267	183	612	808	2
a	271	170	275	183	612	808	2
la	279	170	286	183	612	808	2
síntesis	60	182	89	195	612	808	2
y	92	182	98	195	612	808	2
estudio	101	182	130	195	612	808	2
de	133	182	143	195	612	808	2
aleaciones	146	182	188	195	612	808	2
ternarias	191	182	226	195	612	808	2
y	229	182	234	195	612	808	2
cuaternarias	238	182	286	195	612	808	2
con	60	194	74	207	612	808	2
otros	78	194	98	207	612	808	2
elementos	102	194	142	207	612	808	2
de	146	194	155	207	612	808	2
los	159	194	171	207	612	808	2
grupos	175	194	202	207	612	808	2
III	206	194	216	207	612	808	2
y	220	194	225	207	612	808	2
V.	228	194	237	207	612	808	2
Entre	241	194	262	207	612	808	2
estos	266	194	286	207	612	808	2
compuestos,	60	206	109	219	612	808	2
el	114	206	121	219	612	808	2
InAsSb	126	206	156	219	612	808	2
se	161	206	169	219	612	808	2
puede	174	206	198	219	612	808	2
considerar	203	206	244	219	612	808	2
como	249	206	271	219	612	808	2
un	276	206	286	219	612	808	2
importante	60	218	103	231	612	808	2
material	108	218	141	231	612	808	2
para	145	218	163	231	612	808	2
dispositivos	167	218	215	231	612	808	2
optoelectrónicos	220	218	286	231	612	808	2
infrarrojos,	60	230	104	243	612	808	2
láseres	109	230	136	243	612	808	2
y	140	230	145	243	612	808	2
fotodetectores	150	230	206	243	612	808	2
(Dobbelaere	211	230	260	243	612	808	2
et	264	230	272	243	612	808	2
al.	276	230	286	243	612	808	2
1992,	60	242	82	255	612	808	2
Tang	85	242	105	255	612	808	2
et	109	242	116	255	612	808	2
al.	119	242	129	255	612	808	2
1995).	133	242	159	255	612	808	2
Otros	162	242	184	255	612	808	2
trabajos	188	242	219	255	612	808	2
tratan	223	242	246	255	612	808	2
el	249	242	256	255	612	808	2
dopaje	260	242	286	255	612	808	2
de	60	254	69	267	612	808	2
InSb	75	254	94	267	612	808	2
y	100	254	105	267	612	808	2
otros	112	254	132	267	612	808	2
semiconductores	138	254	205	267	612	808	2
III-V,	211	254	233	267	612	808	2
tales	239	254	258	267	612	808	2
como	264	254	286	267	612	808	2
InAs,	60	266	81	279	612	808	2
con	85	266	99	279	612	808	2
elementos	103	266	143	279	612	808	2
de	146	266	156	279	612	808	2
las	159	266	170	279	612	808	2
tierras	174	266	199	279	612	808	2
raras	202	266	221	279	612	808	2
y	225	266	230	279	612	808	2
elementos	233	266	273	279	612	808	2
de	277	266	286	279	612	808	2
transición.	60	278	101	291	612	808	2
Estos	105	278	126	291	612	808	2
elementos	130	278	170	291	612	808	2
tienden	174	278	203	291	612	808	2
a	206	278	211	291	612	808	2
provocar	214	278	250	291	612	808	2
cambios	253	278	286	291	612	808	2
en	60	290	69	303	612	808	2
las	73	290	84	303	612	808	2
propiedades	88	290	136	303	612	808	2
de	140	290	150	303	612	808	2
esta	154	290	169	303	612	808	2
clase	173	290	193	303	612	808	2
de	197	290	207	303	612	808	2
compuestos.	211	290	261	303	612	808	2
Entre	265	290	286	303	612	808	2
estos	60	302	80	315	612	808	2
se	83	302	91	315	612	808	2
pueden	94	302	123	315	612	808	2
mencionar	126	302	168	315	612	808	2
al	172	302	179	315	612	808	2
In	182	302	190	315	612	808	2
1-x	190	309	198	317	612	808	2
Eu	198	302	209	315	612	808	2
x	209	309	212	317	612	808	2
Sb,	212	302	225	315	612	808	2
In	228	302	237	315	612	808	2
1-x	237	309	244	317	612	808	2
Er	244	302	254	315	612	808	2
x	254	309	257	317	612	808	2
Sb,	257	302	270	315	612	808	2
In	273	302	281	315	612	808	2
1-	281	309	286	317	612	808	2
Sm	62	314	76	327	612	808	2
x	76	321	79	329	612	808	2
Sb	79	314	89	327	612	808	2
y	93	314	98	327	612	808	2
(InSb)	102	314	127	327	612	808	2
1-x	127	321	135	329	612	808	2
Y	135	314	142	327	612	808	2
x	142	321	145	329	612	808	2
(Morelli	148	314	181	327	612	808	2
et	185	314	192	327	612	808	2
al.	196	314	206	327	612	808	2
1992a,b,c,	210	314	251	327	612	808	2
Yang	255	314	275	327	612	808	2
et	279	314	286	327	612	808	2
x	60	321	62	329	612	808	2
al.	60	326	70	339	612	808	2
1998).	75	326	100	339	612	808	2
Una	105	326	122	339	612	808	2
característica,	126	326	182	339	612	808	2
en	186	326	196	339	612	808	2
particular,	201	326	241	339	612	808	2
observada	246	326	286	339	612	808	2
en	60	338	69	351	612	808	2
estos	74	338	94	351	612	808	2
compuestos	99	338	146	351	612	808	2
es	152	338	160	351	612	808	2
que	165	338	179	351	612	808	2
a	185	338	189	351	612	808	2
bajas	194	338	215	351	612	808	2
temperaturas,	220	338	274	351	612	808	2
la	279	338	286	351	612	808	2
movilidad	60	350	100	363	612	808	2
electrónica	104	350	148	363	612	808	2
se	153	350	161	363	612	808	2
incrementa	165	350	210	363	612	808	2
hasta	214	350	235	363	612	808	2
un	239	350	249	363	612	808	2
máximo	253	350	286	363	612	808	2
con	60	362	74	375	612	808	2
el	78	362	85	375	612	808	2
incremento	89	362	134	375	612	808	2
en	137	362	147	375	612	808	2
las	150	362	161	375	612	808	2
concentraciones	165	362	230	375	612	808	2
de	233	362	243	375	612	808	2
las	246	362	258	375	612	808	2
tierras	261	362	286	375	612	808	2
raras	60	374	79	387	612	808	2
y	81	374	86	387	612	808	2
luego	89	374	111	387	612	808	2
decrece	114	374	144	387	612	808	2
a	147	374	151	387	612	808	2
mayores	154	374	188	387	612	808	2
concentraciones.	190	374	257	387	612	808	2
En	317	218	328	231	612	808	2
vista	334	218	352	231	612	808	2
que	357	218	372	231	612	808	2
los	377	218	389	231	612	808	2
semiconductores	394	218	461	231	612	808	2
III-V	466	218	487	231	612	808	2
presentan	491	218	530	231	612	808	2
comportamientos	303	230	373	243	612	808	2
interesantes,	377	230	427	243	612	808	2
en	431	230	441	243	612	808	2
especial	445	230	477	243	612	808	2
combinados	481	230	530	243	612	808	2
o	303	242	308	255	612	808	2
dopados	311	242	344	255	612	808	2
con	348	242	362	255	612	808	2
elementos	365	242	405	255	612	808	2
de	408	242	418	255	612	808	2
las	421	242	432	255	612	808	2
tierras	435	242	460	255	612	808	2
raras	463	242	482	255	612	808	2
y	485	242	490	255	612	808	2
en	493	242	503	255	612	808	2
forma	506	242	530	255	612	808	2
particular	303	254	341	267	612	808	2
con	344	254	358	267	612	808	2
el	360	254	367	267	612	808	2
InSb,	369	254	391	267	612	808	2
se	393	254	401	267	612	808	2
planteó	403	254	433	267	612	808	2
como	435	254	457	267	612	808	2
objetivo	459	254	492	267	612	808	2
principal	494	254	530	267	612	808	2
de	303	266	313	279	612	808	2
este	315	266	331	279	612	808	2
trabajo,	333	266	363	279	612	808	2
obtener	366	266	396	279	612	808	2
compuestos	398	266	445	279	612	808	2
semiconductores	448	266	515	279	612	808	2
del	518	266	530	279	612	808	2
tipo	303	278	319	291	612	808	2
Dy	321	278	333	291	612	808	2
x	333	285	336	293	612	808	2
In	336	278	344	291	612	808	2
1-x	344	285	352	293	612	808	2
Sb,	352	278	365	291	612	808	2
caracterizarlos	367	278	426	291	612	808	2
por	428	278	441	291	612	808	2
técnicas	443	278	476	291	612	808	2
de	478	278	487	291	612	808	2
difracción	489	278	530	291	612	808	2
de	303	290	313	303	612	808	2
rayos	319	290	340	303	612	808	2
X	346	290	353	303	612	808	2
y	359	290	364	303	612	808	2
microscopía	370	290	419	303	612	808	2
electrónica	425	290	469	303	612	808	2
de	475	290	484	303	612	808	2
barrido	490	290	519	303	612	808	2
y	525	290	530	303	612	808	2
determinar	303	302	346	315	612	808	2
sus	349	302	362	315	612	808	2
propiedades	364	302	413	315	612	808	2
magnéticas.	415	302	463	315	612	808	2
MATERIALES	352	326	419	339	612	808	2
Y	421	326	428	339	612	808	2
MÉTODOS	430	326	481	339	612	808	2
Síntesis	303	350	335	363	612	808	2
de	338	350	348	363	612	808	2
los	350	350	362	363	612	808	2
compuestos	365	350	414	363	612	808	2
La	317	374	328	387	612	808	2
síntesis	334	374	363	387	612	808	2
de	369	374	379	387	612	808	2
los	385	374	396	387	612	808	2
compuestos	402	374	450	387	612	808	2
fue	456	374	468	387	612	808	2
realizada	474	374	510	387	612	808	2
por	516	374	530	387	612	808	2
interacción	303	386	348	399	612	808	2
directa	354	386	381	399	612	808	2
de	387	386	397	399	612	808	2
los	403	386	415	399	612	808	2
elementos	421	386	461	399	612	808	2
a	468	386	472	399	612	808	2
temperaturas	478	386	530	399	612	808	2
muy	303	398	321	411	612	808	2
por	325	398	339	411	612	808	2
debajo	343	398	370	411	612	808	2
de	374	398	383	411	612	808	2
sus	388	398	401	411	612	808	2
puntos	405	398	432	411	612	808	2
de	436	398	445	411	612	808	2
fusión,	450	398	477	411	612	808	2
utilizándose	481	398	530	411	612	808	2
disprosio	303	410	340	423	612	808	2
en	344	410	353	423	612	808	2
polvo	357	410	380	423	612	808	2
al	383	410	390	423	612	808	2
99,9%	394	410	420	423	612	808	2
de	424	410	433	423	612	808	2
pureza	437	410	464	423	612	808	2
y	467	410	472	423	612	808	2
antimonio	476	410	517	423	612	808	2
en	520	410	530	423	612	808	2
polvo	303	422	326	435	612	808	2
al	329	422	336	435	612	808	2
99,995%,	339	422	377	435	612	808	2
ambos	380	422	406	435	612	808	2
de	409	422	418	435	612	808	2
Aldrich	420	422	451	435	612	808	2
Chem.	454	422	480	435	612	808	2
Co.,	483	422	499	435	612	808	2
e	502	422	506	435	612	808	2
indio	509	422	530	435	612	808	2
en	303	434	313	447	612	808	2
polvo	317	434	340	447	612	808	2
al	345	434	352	447	612	808	2
99,999%	357	434	393	447	612	808	2
de	398	434	407	447	612	808	2
Johnson	412	434	445	447	612	808	2
Matthey.	449	434	484	447	612	808	2
Todos	489	434	513	447	612	808	2
los	518	434	530	447	612	808	2
elementos	303	446	344	459	612	808	2
pesados	347	446	378	459	612	808	2
fueron	381	446	407	459	612	808	2
mezclados	410	446	452	459	612	808	2
y	455	446	460	459	612	808	2
homogeneizados	463	446	530	459	612	808	2
en	303	458	313	471	612	808	2
relaciones	316	458	357	471	612	808	2
estequiométricas	360	458	428	471	612	808	2
en	431	458	441	471	612	808	2
un	444	458	454	471	612	808	2
mortero	458	458	490	471	612	808	2
de	493	458	503	471	612	808	2
ágata.	506	458	530	471	612	808	2
Los	303	470	318	483	612	808	2
compuestos	324	470	371	483	612	808	2
a	377	470	382	483	612	808	2
sintetizar	388	470	424	483	612	808	2
correspondieron	430	470	495	483	612	808	2
al	501	470	508	483	612	808	2
tipo	514	470	530	483	612	808	2
Dy	303	482	315	495	612	808	2
x	315	489	318	497	612	808	2
In	318	482	327	495	612	808	2
1-x	327	489	334	497	612	808	2
Sb,	334	482	347	495	612	808	2
en	353	482	363	495	612	808	2
donde	368	482	393	495	612	808	2
x	398	482	403	495	612	808	2
fue	409	482	422	495	612	808	2
variado	427	482	457	495	612	808	2
de	463	482	472	495	612	808	2
acuerdo	478	482	510	495	612	808	2
con	515	482	530	495	612	808	2
la	303	494	310	507	612	808	2
siguiente	315	494	351	507	612	808	2
relación:	356	494	391	507	612	808	2
0;	396	494	404	507	612	808	2
0,02;	409	494	429	507	612	808	2
0,03;	434	494	454	507	612	808	2
0,04;	459	494	479	507	612	808	2
0,05;	484	494	505	507	612	808	2
0,06;	510	494	530	507	612	808	2
0,07	303	506	321	519	612	808	2
y	324	506	329	519	612	808	2
1.	333	506	340	519	612	808	2
La	344	506	354	519	612	808	2
mezcla	358	506	386	519	612	808	2
obtenida	389	506	424	519	612	808	2
de	427	506	437	519	612	808	2
los	440	506	452	519	612	808	2
tres	455	506	470	519	612	808	2
elementos	473	506	514	519	612	808	2
fue	517	506	530	519	612	808	2
prensada,	303	518	341	531	612	808	2
en	345	518	354	531	612	808	2
forma	358	518	381	531	612	808	2
de	385	518	394	531	612	808	2
pastilla	398	518	427	531	612	808	2
en	430	518	440	531	612	808	2
troqueles	443	518	480	531	612	808	2
de	483	518	493	531	612	808	2
1	496	518	501	531	612	808	2
cm	505	518	517	531	612	808	2
de	520	518	530	531	612	808	2
diámetro,	303	530	341	543	612	808	2
en	345	530	354	543	612	808	2
una	358	530	373	543	612	808	2
prensa	376	530	402	543	612	808	2
hidráulica,	406	530	449	543	612	808	2
a	452	530	457	543	612	808	2
una	460	530	475	543	612	808	2
presión	479	530	508	543	612	808	2
de	512	530	521	543	612	808	2
1	525	530	530	543	612	808	2
tonelada	303	542	337	555	612	808	2
durante	340	542	370	555	612	808	2
1	372	542	377	555	612	808	2
minuto.	379	542	410	555	612	808	2
Cada	413	542	433	555	612	808	2
pastilla	436	542	465	555	612	808	2
fue	467	542	480	555	612	808	2
colocada	482	542	518	555	612	808	2
en	520	542	530	555	612	808	2
ampollas	303	554	339	567	612	808	2
de	341	554	351	567	612	808	2
cuarzo	353	554	379	567	612	808	2
de	381	554	391	567	612	808	2
20	393	554	403	567	612	808	2
cm	405	554	417	567	612	808	2
de	419	554	428	567	612	808	2
largo	430	554	450	567	612	808	2
y	452	554	457	567	612	808	2
1	459	554	464	567	612	808	2
cm	466	554	478	567	612	808	2
de	480	554	490	567	612	808	2
diámetro,	492	554	530	567	612	808	2
selladas	303	566	335	579	612	808	2
al	338	566	345	579	612	808	2
vacío	349	566	370	579	612	808	2
a	374	566	378	579	612	808	2
una	381	566	396	579	612	808	2
presión	399	566	428	579	612	808	2
entre	432	566	452	579	612	808	2
10	455	566	465	579	612	808	2
-3	465	567	470	574	612	808	2
y	473	566	478	579	612	808	2
10	481	566	491	579	612	808	2
-4	491	567	496	574	612	808	2
mmHg.	500	566	530	579	612	808	2
Las	303	578	318	591	612	808	2
ampollas	322	578	358	591	612	808	2
con	362	578	376	591	612	808	2
las	380	578	392	591	612	808	2
pastillas	396	578	428	591	612	808	2
fueron	433	578	459	591	612	808	2
colocadas	463	578	502	591	612	808	2
en	506	578	516	591	612	808	2
un	520	578	530	591	612	808	2
horno	303	590	327	603	612	808	2
programable,	331	590	384	603	612	808	2
marca	388	590	413	603	612	808	2
Thermoline	417	590	464	603	612	808	2
modelo	468	590	498	603	612	808	2
55346,	502	590	530	603	612	808	2
con	303	602	318	615	612	808	2
el	322	602	329	615	612	808	2
programa	334	602	372	615	612	808	2
térmico	376	602	407	615	612	808	2
preestablecido.	411	602	472	615	612	808	2
Finalizado	476	602	518	615	612	808	2
el	523	602	530	615	612	808	2
tratamiento	303	614	349	627	612	808	2
térmico,	352	614	385	627	612	808	2
las	388	614	399	627	612	808	2
ampollas	402	614	438	627	612	808	2
fueron	441	614	467	627	612	808	2
abiertas	470	614	501	627	612	808	2
y	504	614	509	627	612	808	2
cada	511	614	530	627	612	808	2
pastilla	303	626	332	639	612	808	2
fue	335	626	348	639	612	808	2
pulverizada	351	626	398	639	612	808	2
en	401	626	411	639	612	808	2
un	414	626	424	639	612	808	2
mortero	427	626	459	639	612	808	2
de	462	626	472	639	612	808	2
ágata,	475	626	499	639	612	808	2
para	502	626	519	639	612	808	2
el	523	626	530	639	612	808	2
correspondiente	303	638	367	651	612	808	2
análisis	370	638	400	651	612	808	2
por	402	638	415	651	612	808	2
difracción	418	638	458	651	612	808	2
de	461	638	470	651	612	808	2
rayos	473	638	495	651	612	808	2
X.	497	638	507	651	612	808	2
Otro	74	398	92	411	612	808	2
tipo	95	398	111	411	612	808	2
de	115	398	124	411	612	808	2
estudio	127	398	156	411	612	808	2
ha	160	398	169	411	612	808	2
involucrado	173	398	220	411	612	808	2
la	224	398	231	411	612	808	2
combinación	235	398	286	411	612	808	2
de	60	410	69	423	612	808	2
alguno	72	410	100	423	612	808	2
de	103	410	113	423	612	808	2
los	116	410	128	423	612	808	2
elementos	131	410	172	423	612	808	2
del	175	410	187	423	612	808	2
grupo	191	410	214	423	612	808	2
V	217	410	225	423	612	808	2
con	228	410	242	423	612	808	2
elementos	246	410	286	423	612	808	2
de	60	422	69	435	612	808	2
las	71	422	82	435	612	808	2
tierras	85	422	110	435	612	808	2
raras.	112	422	134	435	612	808	2
Entre	136	422	158	435	612	808	2
tales	160	422	178	435	612	808	2
ejemplos,	181	422	219	435	612	808	2
y	222	422	227	435	612	808	2
en	229	422	238	435	612	808	2
el	241	422	248	435	612	808	2
caso	250	422	268	435	612	808	2
más	270	422	286	435	612	808	2
específico	60	434	100	447	612	808	2
del	102	434	114	447	612	808	2
Sb,	116	434	129	447	612	808	2
se	132	434	140	447	612	808	2
tienen	142	434	167	447	612	808	2
las	169	434	180	447	612	808	2
investigaciones	182	434	244	447	612	808	2
realizadas	246	434	286	447	612	808	2
en	60	446	69	459	612	808	2
los	71	446	83	459	612	808	2
inicios	85	446	112	459	612	808	2
de	114	446	124	459	612	808	2
los	126	446	138	459	612	808	2
años	140	446	158	459	612	808	2
70's	161	446	177	459	612	808	2
con	180	446	194	459	612	808	2
compuestos	196	446	244	459	612	808	2
de	246	446	255	459	612	808	2
la	258	446	265	459	612	808	2
serie	267	446	286	459	612	808	2
LnSb	60	458	81	471	612	808	2
(Ln	85	458	99	471	612	808	2
=	102	458	108	471	612	808	2
serie	111	458	130	471	612	808	2
de	134	458	143	471	612	808	2
los	147	458	158	471	612	808	2
lantánidos),	162	458	209	471	612	808	2
a	212	458	216	471	612	808	2
los	220	458	232	471	612	808	2
cuales	235	458	260	471	612	808	2
se	263	458	272	471	612	808	2
les	275	458	286	471	612	808	2
evaluó	60	470	86	483	612	808	2
las	90	470	101	483	612	808	2
propiedades	104	470	152	483	612	808	2
magnéticas,	156	470	203	483	612	808	2
elásticas	207	470	241	483	612	808	2
y	244	470	249	483	612	808	2
térmicas	252	470	286	483	612	808	2
(Mullen	60	482	92	495	612	808	2
et	93	482	100	495	612	808	2
al.	101	482	111	495	612	808	2
1974).	112	482	138	495	612	808	2
Mientras	139	482	175	495	612	808	2
que	175	482	190	495	612	808	2
trabajos	191	482	223	495	612	808	2
con	224	482	238	495	612	808	2
compuestos	239	482	286	495	612	808	2
ternarios	60	494	95	507	612	808	2
involucran,	97	494	143	507	612	808	2
por	146	494	159	507	612	808	2
ejemplo,	162	494	196	507	612	808	2
al	199	494	206	507	612	808	2
compuesto	209	494	253	507	612	808	2
del	256	494	268	507	612	808	2
tipo	271	494	286	507	612	808	2
Er	60	506	69	519	612	808	2
x	69	513	72	521	612	808	2
Dy	72	506	84	519	612	808	2
1-x	84	513	92	521	612	808	2
Sb	92	506	102	519	612	808	2
(Long	108	506	132	519	612	808	2
et	137	506	144	519	612	808	2
al.	149	506	160	519	612	808	2
1995).	165	506	190	519	612	808	2
Dicho	196	506	220	519	612	808	2
compuesto	225	506	268	519	612	808	2
fue	273	506	286	519	612	808	2
sintetizado	60	518	103	531	612	808	2
con	105	518	120	531	612	808	2
relaciones	122	518	162	531	612	808	2
estequiométricas	165	518	232	531	612	808	2
de	234	518	243	531	612	808	2
x	246	518	251	531	612	808	2
=	253	518	259	531	612	808	2
0;	261	518	269	531	612	808	2
0,2;	271	518	286	531	612	808	2
0,6;	60	530	75	543	612	808	2
0,8	78	530	91	543	612	808	2
y	94	530	99	543	612	808	2
1;	102	530	110	543	612	808	2
encontrándose	113	530	171	543	612	808	2
en	174	530	184	543	612	808	2
éstos	187	530	207	543	612	808	2
que	210	530	225	543	612	808	2
la	228	530	235	543	612	808	2
temperatura	238	530	286	543	612	808	2
de	60	542	69	555	612	808	2
transición	72	542	111	555	612	808	2
de	115	542	124	555	612	808	2
fases,	127	542	150	555	612	808	2
se	153	542	161	555	612	808	2
incrementa	164	542	208	555	612	808	2
con	211	542	226	555	612	808	2
el	229	542	236	555	612	808	2
aumento	239	542	274	555	612	808	2
en	277	542	286	555	612	808	2
la	60	554	67	567	612	808	2
concentración	70	554	126	567	612	808	2
de	129	554	138	567	612	808	2
Dy	141	554	153	567	612	808	2
3+	153	555	160	562	612	808	2
y	163	554	168	567	612	808	2
que	171	554	185	567	612	808	2
el	188	554	195	567	612	808	2
cambio	198	554	228	567	612	808	2
en	231	554	240	567	612	808	2
la	243	554	250	567	612	808	2
entropía	253	554	286	567	612	808	2
magnética	60	566	101	579	612	808	2
a	105	566	109	579	612	808	2
40	114	566	124	579	612	808	2
K,	128	566	138	579	612	808	2
se	142	566	150	579	612	808	2
incrementa	155	566	199	579	612	808	2
rápidamente	204	566	253	579	612	808	2
cuando	257	566	286	579	612	808	2
disminuye	60	578	101	591	612	808	2
la	107	578	114	591	612	808	2
concentración	120	578	176	591	612	808	2
de	182	578	191	591	612	808	2
Dy	197	578	209	591	612	808	2
3+	209	579	215	586	612	808	2
,	215	578	218	591	612	808	2
lo	224	578	231	591	612	808	2
que	237	578	252	591	612	808	2
sugiere	257	578	286	591	612	808	2
que	60	590	74	603	612	808	2
con	79	590	93	603	612	808	2
estos	98	590	118	603	612	808	2
cambios	122	590	156	603	612	808	2
deben	160	590	184	603	612	808	2
existir	189	590	214	603	612	808	2
mayores	218	590	252	603	612	808	2
estados	257	590	286	603	612	808	2
excitados	60	602	97	615	612	808	2
en	100	602	109	615	612	808	2
el	112	602	119	615	612	808	2
sistema	122	602	152	615	612	808	2
formado.	154	602	190	615	612	808	2
Uno	193	602	210	615	612	808	2
de	213	602	222	615	612	808	2
los	225	602	236	615	612	808	2
compuestos	239	602	286	615	612	808	2
de	60	614	69	627	612	808	2
antimonio	71	614	112	627	612	808	2
con	115	614	129	627	612	808	2
tierras	131	614	156	627	612	808	2
raras	159	614	178	627	612	808	2
más	181	614	197	627	612	808	2
estudiado	200	614	238	627	612	808	2
es	240	614	249	627	612	808	2
el	251	614	258	627	612	808	2
DySb,	261	614	286	627	612	808	2
el	60	626	67	639	612	808	2
cual	73	626	89	639	612	808	2
es	95	626	104	639	612	808	2
considerado	109	626	158	639	612	808	2
una	164	626	178	639	612	808	2
sustancia	184	626	221	639	612	808	2
con	226	626	241	639	612	808	2
estructura	247	626	286	639	612	808	2
cristalina	60	638	96	651	612	808	2
del	103	638	115	651	612	808	2
tipo	122	638	138	651	612	808	2
NaCl	144	638	165	651	612	808	2
en	172	638	182	651	612	808	2
la	188	638	196	651	612	808	2
fase	202	638	219	651	612	808	2
paramagnética.	225	638	286	651	612	808	2
Presenta	60	650	93	663	612	808	2
una	97	650	112	663	612	808	2
temperatura	115	650	163	663	612	808	2
de	167	650	176	663	612	808	2
Néel	180	650	199	663	612	808	2
(T	203	650	212	663	612	808	2
N	212	657	216	665	612	808	2
)	216	650	220	663	612	808	2
de	224	650	233	663	612	808	2
9,5	237	650	249	663	612	808	2
K	253	650	260	663	612	808	2
y	264	650	269	663	612	808	2
por	273	650	286	663	612	808	2
debajo	60	662	86	675	612	808	2
de	89	662	99	675	612	808	2
ella,	102	662	119	675	612	808	2
la	122	662	129	675	612	808	2
estructura	133	662	172	675	612	808	2
magnética	175	662	216	675	612	808	2
predominante	220	662	275	675	612	808	2
es	278	662	286	675	612	808	2
antiferromagnética	60	674	135	687	612	808	2
de	138	674	147	687	612	808	2
tipo	150	674	165	687	612	808	2
II	168	674	174	687	612	808	2
(Aléonard	177	674	217	687	612	808	2
et	220	674	227	687	612	808	2
al.	229	674	240	687	612	808	2
1984).	242	674	268	687	612	808	2
Análisis	303	662	337	675	612	808	2
por	340	662	355	675	612	808	2
difracción	357	662	400	675	612	808	2
de	403	662	413	675	612	808	2
rayos	415	662	439	675	612	808	2
X	441	662	448	675	612	808	2
Los	317	686	332	699	612	808	2
compuestos	341	686	388	699	612	808	2
sintetizados	397	686	444	699	612	808	2
fueron	453	686	479	699	612	808	2
analizados	488	686	530	699	612	808	2
por	303	698	317	711	612	808	2
difracción	321	698	362	711	612	808	2
de	366	698	376	711	612	808	2
rayos	380	698	402	711	612	808	2
X	407	698	414	711	612	808	2
mediante	419	698	455	711	612	808	2
el	460	698	467	711	612	808	2
empleo	472	698	501	711	612	808	2
de	506	698	515	711	612	808	2
un	520	698	530	711	612	808	2
En	74	698	85	711	612	808	2
cuanto	87	698	113	711	612	808	2
a	115	698	120	711	612	808	2
los	122	698	133	711	612	808	2
métodos	135	698	169	711	612	808	2
de	171	698	181	711	612	808	2
síntesis	183	698	212	711	612	808	2
de	214	698	223	711	612	808	2
los	225	698	237	711	612	808	2
compuestos	239	698	286	711	612	808	2
175	289	736	303	749	612	808	2
Síntesis,	213	48	241	59	612	808	3
caracterización	243	48	293	59	612	808	3
estructural	295	48	331	59	612	808	3
y	333	48	337	59	612	808	3
propiedades	339	48	379	59	612	808	3
magnéticas..	381	48	422	59	612	808	3
con	326	86	340	99	612	808	3
promedio	346	86	385	99	612	808	3
de	391	86	400	99	612	808	3
calentamiento	406	86	463	99	612	808	3
de	469	86	478	99	612	808	3
0,5°C/min	484	86	526	99	612	808	3
hasta	532	86	552	99	612	808	3
alcanzar	326	98	359	111	612	808	3
una	363	98	378	111	612	808	3
temperatura	382	98	430	111	612	808	3
de	434	98	443	111	612	808	3
550°C,	448	98	476	111	612	808	3
permaneciendo	480	98	541	111	612	808	3
el	545	98	552	111	612	808	3
tratamiento	326	110	371	123	612	808	3
a	374	110	378	123	612	808	3
esta	381	110	396	123	612	808	3
temperatura	399	110	447	123	612	808	3
durante	449	110	479	123	612	808	3
11	482	110	491	123	612	808	3
días.	494	110	512	123	612	808	3
difractómetro	82	86	137	99	612	808	3
SIEMENS	140	86	183	99	612	808	3
modelo	187	86	217	99	612	808	3
D5000,	221	86	251	99	612	808	3
operado	254	86	287	99	612	808	3
a	291	86	295	99	612	808	3
40	299	86	309	99	612	808	3
kV	82	98	94	111	612	808	3
y	96	98	101	111	612	808	3
30	103	98	113	111	612	808	3
mA	115	98	130	111	612	808	3
y	132	98	137	111	612	808	3
radiación	139	98	176	111	612	808	3
de	178	98	187	111	612	808	3
cobre	189	98	211	111	612	808	3
filtrada	213	98	242	111	612	808	3
(λ	244	98	252	111	612	808	3
=	254	98	259	111	612	808	3
1,54178	261	98	294	111	612	808	3
Ǻ).	296	98	309	111	612	808	3
Cada	82	110	103	123	612	808	3
muestra	105	110	137	123	612	808	3
fue	139	110	152	123	612	808	3
corrida	155	110	183	123	612	808	3
a	186	110	190	123	612	808	3
un	192	110	202	123	612	808	3
tiempo	205	110	233	123	612	808	3
de	235	110	245	123	612	808	3
1	247	110	252	123	612	808	3
segundo	255	110	288	123	612	808	3
cada	290	110	309	123	612	808	3
0,08°	82	122	104	135	612	808	3
de	105	122	114	135	612	808	3
ángulo	116	122	143	135	612	808	3
2θ,	144	122	156	135	612	808	3
con	157	122	172	135	612	808	3
excepción	173	122	214	135	612	808	3
de	215	122	224	135	612	808	3
la	225	122	233	135	612	808	3
muestra	234	122	265	135	612	808	3
de	267	122	276	135	612	808	3
fórmula	277	122	309	135	612	808	3
Dy	82	134	94	147	612	808	3
x	94	141	97	149	612	808	3
In	97	134	106	147	612	808	3
1-x	106	141	113	149	612	808	3
Sb	113	134	124	147	612	808	3
con	127	134	141	147	612	808	3
x	144	134	149	147	612	808	3
=	151	134	157	147	612	808	3
1,	160	134	167	147	612	808	3
que	170	134	184	147	612	808	3
corresponde	187	134	236	147	612	808	3
a	238	134	243	147	612	808	3
la	245	134	252	147	612	808	3
fase	255	134	271	147	612	808	3
DySb,	274	134	299	147	612	808	3
la	302	134	309	147	612	808	3
cual	82	146	99	159	612	808	3
fue	102	146	115	159	612	808	3
corrida	117	146	146	159	612	808	3
a	149	146	153	159	612	808	3
un	156	146	166	159	612	808	3
tiempo	169	146	197	159	612	808	3
de	200	146	209	159	612	808	3
0,5	212	146	224	159	612	808	3
segundo	227	146	261	159	612	808	3
cada	264	146	282	159	612	808	3
0,02°.	285	146	309	159	612	808	3
Del	340	134	354	147	612	808	3
análisis	358	134	388	147	612	808	3
realizado	392	134	428	147	612	808	3
por	432	134	445	147	612	808	3
difracción	449	134	489	147	612	808	3
de	493	134	502	147	612	808	3
rayos	506	134	527	147	612	808	3
X,	531	134	541	147	612	808	3
se	544	134	552	147	612	808	3
encontró	326	146	361	159	612	808	3
un	365	146	375	159	612	808	3
dopaje	380	146	407	159	612	808	3
óptimo	411	146	440	159	612	808	3
de	444	146	454	159	612	808	3
Dy	458	146	470	159	612	808	3
x	470	153	473	161	612	808	3
In	473	146	482	159	612	808	3
1-x	482	153	489	161	612	808	3
Sb	489	146	500	159	612	808	3
con	505	146	519	159	612	808	3
valores	524	146	552	159	612	808	3
de	326	158	335	171	612	808	3
x	338	158	343	171	612	808	3
=	346	158	352	171	612	808	3
0,02;	355	158	375	171	612	808	3
0,03	379	158	396	171	612	808	3
y	399	158	404	171	612	808	3
0,04.	407	158	427	171	612	808	3
A	430	158	437	171	612	808	3
partir	439	158	461	171	612	808	3
de	464	158	474	171	612	808	3
x	477	158	482	171	612	808	3
=	485	158	490	171	612	808	3
0,05	494	158	511	171	612	808	3
comienza	514	158	552	171	612	808	3
a	326	170	330	183	612	808	3
aparecer	334	170	368	183	612	808	3
la	372	170	379	183	612	808	3
reflexión	384	170	419	183	612	808	3
de	423	170	433	183	612	808	3
mayor	437	170	462	183	612	808	3
intensidad	466	170	507	183	612	808	3
de	512	170	521	183	612	808	3
la	525	170	532	183	612	808	3
fase	536	170	552	183	612	808	3
DySb,	326	182	351	195	612	808	3
la	354	182	361	195	612	808	3
cual	365	182	381	195	612	808	3
está	384	182	400	195	612	808	3
ubicada	403	182	434	195	612	808	3
en	437	182	447	195	612	808	3
un	450	182	460	195	612	808	3
ángulo	463	182	490	195	612	808	3
2θ	493	182	503	195	612	808	3
de	506	182	515	195	612	808	3
29,005°,	518	182	552	195	612	808	3
como	326	194	348	207	612	808	3
puede	351	194	375	207	612	808	3
observarse	379	194	422	207	612	808	3
en	425	194	434	207	612	808	3
la	438	194	445	207	612	808	3
Figura	448	194	475	207	612	808	3
1.	478	194	486	207	612	808	3
Esto	489	194	507	207	612	808	3
indica	510	194	535	207	612	808	3
que	538	194	552	207	612	808	3
a	326	206	330	219	612	808	3
esta	333	206	349	219	612	808	3
cantidad	352	206	386	219	612	808	3
de	389	206	398	219	612	808	3
disprosio	402	206	438	219	612	808	3
(x	441	206	450	219	612	808	3
=	453	206	458	219	612	808	3
0,05)	462	206	482	219	612	808	3
en	486	206	495	219	612	808	3
Dy	498	206	510	219	612	808	3
x	510	213	513	221	612	808	3
In	513	206	522	219	612	808	3
1-x	522	213	529	221	612	808	3
Sb	529	206	540	219	612	808	3
ya	543	206	552	219	612	808	3
no	326	218	336	231	612	808	3
es	340	218	348	231	612	808	3
posible	352	218	381	231	612	808	3
obtener	384	218	414	231	612	808	3
un	418	218	428	231	612	808	3
compuesto	432	218	475	231	612	808	3
donde	479	218	503	231	612	808	3
se	507	218	515	231	612	808	3
presente	519	218	552	231	612	808	3
la	326	230	333	243	612	808	3
fase	337	230	353	243	612	808	3
InSb	357	230	376	243	612	808	3
dopada,	379	230	411	243	612	808	3
sino	414	230	431	243	612	808	3
que	435	230	449	243	612	808	3
se	453	230	461	243	612	808	3
presentan	465	230	503	243	612	808	3
mezclas	507	230	539	243	612	808	3
de	543	230	552	243	612	808	3
fases	326	242	346	255	612	808	3
(InSb	351	242	373	255	612	808	3
dopado	378	242	408	255	612	808	3
+	413	242	418	255	612	808	3
DySb).	423	242	452	255	612	808	3
A	457	242	464	255	612	808	3
las	468	242	479	255	612	808	3
cantidades	485	242	527	255	612	808	3
antes	532	242	552	255	612	808	3
mencionadas	326	254	378	267	612	808	3
(x	383	254	391	267	612	808	3
=	396	254	402	267	612	808	3
0,02;	407	254	427	267	612	808	3
0,03	432	254	449	267	612	808	3
y	454	254	459	267	612	808	3
0,04)	464	254	485	267	612	808	3
el	489	254	497	267	612	808	3
disprosio	502	254	538	267	612	808	3
ha	543	254	552	267	612	808	3
dopado	326	266	355	279	612	808	3
eficientemente	360	266	418	279	612	808	3
la	422	266	429	279	612	808	3
estructura	434	266	473	279	612	808	3
de	478	266	487	279	612	808	3
InSb.	491	266	513	279	612	808	3
Hay	517	266	534	279	612	808	3
que	538	266	552	279	612	808	3
destacar	326	278	359	291	612	808	3
que	363	278	378	291	612	808	3
el	382	278	390	291	612	808	3
átomo	394	278	419	291	612	808	3
de	424	278	433	291	612	808	3
disprosio	438	278	475	291	612	808	3
presenta	479	278	513	291	612	808	3
un	517	278	527	291	612	808	3
radio	532	278	552	291	612	808	3
atómico	326	290	358	303	612	808	3
(y	361	290	369	303	612	808	3
por	372	290	385	303	612	808	3
ende,	388	290	410	303	612	808	3
un	412	290	422	303	612	808	3
radio	425	290	446	303	612	808	3
iónico)	448	290	477	303	612	808	3
mucho	480	290	507	303	612	808	3
mayor	510	290	535	303	612	808	3
que	538	290	552	303	612	808	3
el	326	302	333	315	612	808	3
radio	337	302	357	315	612	808	3
atómico	361	302	393	315	612	808	3
del	397	302	409	315	612	808	3
indio,	413	302	436	315	612	808	3
lo	440	302	448	315	612	808	3
que	451	302	466	315	612	808	3
en	469	302	479	315	612	808	3
teoría	483	302	505	315	612	808	3
dificultaría	509	302	552	315	612	808	3
enormemente	326	314	380	327	612	808	3
el	385	314	392	327	612	808	3
intercambio	397	314	445	327	612	808	3
de	449	314	459	327	612	808	3
este	463	314	479	327	612	808	3
átomo	483	314	508	327	612	808	3
por	513	314	526	327	612	808	3
el	531	314	538	327	612	808	3
de	543	314	552	327	612	808	3
disprosio	326	326	362	339	612	808	3
en	368	326	377	339	612	808	3
la	382	326	389	339	612	808	3
estructura	394	326	434	339	612	808	3
del	439	326	451	339	612	808	3
InSb.	456	326	477	339	612	808	3
Este	482	326	500	339	612	808	3
intercambio	505	326	552	339	612	808	3
solo	326	338	342	351	612	808	3
se	346	338	354	351	612	808	3
logró	357	338	378	351	612	808	3
a	381	338	386	351	612	808	3
muy	389	338	407	351	612	808	3
bajas	410	338	430	351	612	808	3
concentraciones	433	338	498	351	612	808	3
de	501	338	510	351	612	808	3
disprosio,	513	338	552	351	612	808	3
lo	326	350	334	363	612	808	3
que	338	350	353	363	612	808	3
sugiere	358	350	387	363	612	808	3
que	392	350	406	363	612	808	3
se	411	350	419	363	612	808	3
presenta	424	350	457	363	612	808	3
un	462	350	472	363	612	808	3
límite	477	350	500	363	612	808	3
máximo	505	350	538	363	612	808	3
de	543	350	552	363	612	808	3
concentración	326	362	382	375	612	808	3
de	384	362	394	375	612	808	3
disprosio	396	362	433	375	612	808	3
en	435	362	445	375	612	808	3
el	447	362	455	375	612	808	3
que	457	362	471	375	612	808	3
es	474	362	482	375	612	808	3
posible	485	362	514	375	612	808	3
el	516	362	523	375	612	808	3
dopaje	526	362	552	375	612	808	3
del	326	374	338	387	612	808	3
InSb.	341	374	363	387	612	808	3
A	366	374	373	387	612	808	3
mayores	376	374	410	387	612	808	3
concentraciones,	413	374	480	387	612	808	3
se	483	374	492	387	612	808	3
sugiere	495	374	524	387	612	808	3
que	527	374	542	387	612	808	3
el	545	374	552	387	612	808	3
disprosio	326	386	362	399	612	808	3
tiende	365	386	389	399	612	808	3
más	392	386	408	399	612	808	3
a	410	386	415	399	612	808	3
reaccionar	417	386	459	399	612	808	3
con	461	386	476	399	612	808	3
el	478	386	486	399	612	808	3
antimonio	488	386	529	399	612	808	3
que	531	386	546	399	612	808	3
a	548	386	552	399	612	808	3
sustituir	326	398	358	411	612	808	3
el	361	398	368	411	612	808	3
indio	370	398	391	411	612	808	3
en	393	398	403	411	612	808	3
el	405	398	412	411	612	808	3
InSb.	415	398	436	411	612	808	3
Análisis	82	170	116	183	612	808	3
por	119	170	134	183	612	808	3
microscopía	136	170	187	183	612	808	3
electrónica	190	170	237	183	612	808	3
de	239	170	249	183	612	808	3
barrido	252	170	284	183	612	808	3
Los	96	194	111	207	612	808	3
compuestos	119	194	167	207	612	808	3
sintetizados	175	194	222	207	612	808	3
fueron	230	194	256	207	612	808	3
observados	264	194	309	207	612	808	3
y	82	206	87	219	612	808	3
analizados	93	206	135	219	612	808	3
por	140	206	154	219	612	808	3
microscopía	159	206	208	219	612	808	3
electrónica	213	206	257	219	612	808	3
de	263	206	272	219	612	808	3
barrido,	277	206	309	219	612	808	3
para	82	218	99	231	612	808	3
lo	106	218	113	231	612	808	3
cual	120	218	136	231	612	808	3
se	142	218	151	231	612	808	3
empleó	157	218	186	231	612	808	3
un	193	218	203	231	612	808	3
microscopio	209	218	258	231	612	808	3
electrónico	264	218	309	231	612	808	3
de	82	230	92	243	612	808	3
barrido	99	230	128	243	612	808	3
HITACHI	136	230	176	243	612	808	3
modelo	183	230	213	243	612	808	3
S-4500,	221	230	252	243	612	808	3
operando	260	230	297	243	612	808	3
a	304	230	309	243	612	808	3
bajo	82	242	99	255	612	808	3
voltaje	104	242	132	255	612	808	3
(5	136	242	145	255	612	808	3
kV)	150	242	165	255	612	808	3
en	170	242	180	255	612	808	3
modo	184	242	207	255	612	808	3
de	212	242	222	255	612	808	3
emisión	226	242	258	255	612	808	3
secundario.	263	242	309	255	612	808	3
La	82	254	93	267	612	808	3
preparación	98	254	145	267	612	808	3
de	151	254	160	267	612	808	3
las	166	254	177	267	612	808	3
muestras	182	254	218	267	612	808	3
para	223	254	241	267	612	808	3
su	246	254	255	267	612	808	3
observación	261	254	309	267	612	808	3
y	82	266	87	279	612	808	3
análisis	92	266	122	279	612	808	3
en	126	266	136	279	612	808	3
el	140	266	148	279	612	808	3
microscopio,	152	266	204	279	612	808	3
se	209	266	217	279	612	808	3
realizó	222	266	249	279	612	808	3
de	254	266	263	279	612	808	3
la	268	266	275	279	612	808	3
manera	279	266	309	279	612	808	3
rutinaria	82	278	116	291	612	808	3
para	121	278	138	291	612	808	3
muestras	142	278	178	291	612	808	3
sólidas	182	278	210	291	612	808	3
(Golstein	215	278	252	291	612	808	3
et	256	278	264	291	612	808	3
al.	268	278	278	291	612	808	3
2003).	283	278	309	291	612	808	3
Medidas	82	302	119	315	612	808	3
de	121	302	131	315	612	808	3
susceptibilidad	134	302	198	315	612	808	3
magnética	200	302	244	315	612	808	3
Las	96	326	111	339	612	808	3
medidas	116	326	150	339	612	808	3
de	155	326	165	339	612	808	3
susceptibilidad	170	326	230	339	612	808	3
magnética	236	326	277	339	612	808	3
de	282	326	292	339	612	808	3
los	297	326	309	339	612	808	3
compuestos	82	338	129	351	612	808	3
sintetizados	137	338	184	351	612	808	3
se	192	338	200	351	612	808	3
realizaron	208	338	248	351	612	808	3
siguiendo	255	338	294	351	612	808	3
el	302	338	309	351	612	808	3
método	82	350	112	363	612	808	3
de	115	350	125	363	612	808	3
Faraday	128	350	160	363	612	808	3
(Morris	163	350	194	363	612	808	3
y	197	350	202	363	612	808	3
Wold	205	350	226	363	612	808	3
1968),	229	350	255	363	612	808	3
con	258	350	272	363	612	808	3
medidas	276	350	309	363	612	808	3
realizadas	82	362	122	375	612	808	3
en	124	362	133	375	612	808	3
un	135	362	145	375	612	808	3
intervalo	146	362	182	375	612	808	3
de	183	362	193	375	612	808	3
temperatura	194	362	242	375	612	808	3
entre	243	362	263	375	612	808	3
80	265	362	275	375	612	808	3
y	276	362	281	375	612	808	3
300	283	362	298	375	612	808	3
K.	299	362	309	375	612	808	3
RESULTADOS	129	386	195	399	612	808	3
Y	197	386	204	399	612	808	3
DISCUSIÓN	207	386	262	399	612	808	3
Las	96	410	111	423	612	808	3
condiciones	112	410	160	423	612	808	3
óptimas	162	410	193	423	612	808	3
de	195	410	205	423	612	808	3
síntesis	206	410	236	423	612	808	3
de	237	410	247	423	612	808	3
los	248	410	260	423	612	808	3
compuestos	262	410	309	423	612	808	3
semiconductores	82	422	149	435	612	808	3
correspondieron	152	422	217	435	612	808	3
a	219	422	223	435	612	808	3
un	226	422	236	435	612	808	3
programa	238	422	276	435	612	808	3
térmico	278	422	309	435	612	808	3
Figura	110	704	131	715	612	808	3
1.	133	704	139	715	612	808	3
Patrones	141	704	169	715	612	808	3
de	171	704	178	715	612	808	3
difracción	180	704	212	715	612	808	3
de	214	704	222	715	612	808	3
rayos	224	704	241	715	612	808	3
X	243	704	249	715	612	808	3
para	251	704	265	715	612	808	3
Dy	267	704	277	715	612	808	3
x	277	710	279	716	612	808	3
In	279	704	286	715	612	808	3
1-x	286	710	292	716	612	808	3
Sb	292	704	300	715	612	808	3
con	302	704	314	715	612	808	3
relaciones	316	704	348	715	612	808	3
molares,	350	704	378	715	612	808	3
donde	380	704	399	715	612	808	3
x	401	704	405	715	612	808	3
=	407	704	412	715	612	808	3
0,02;	414	704	430	715	612	808	3
0,03;	432	704	448	715	612	808	3
0,04;	450	704	466	715	612	808	3
0,05;	468	704	485	715	612	808	3
0,06	487	704	501	715	612	808	3
y	503	704	507	715	612	808	3
0,07.	509	704	525	715	612	808	3
176	311	736	325	749	612	808	3
V	255	48	261	60	612	808	4
elazco	261	51	286	59	612	808	4
R	288	48	294	60	612	808	4
ivero	295	51	314	59	612	808	4
et	317	48	323	60	612	808	4
al.	325	48	335	60	612	808	4
Para	74	86	91	99	612	808	4
el	101	86	108	99	612	808	4
estudio	117	86	146	99	612	808	4
morfológico	156	86	205	99	612	808	4
por	215	86	228	99	612	808	4
microscopía	237	86	286	99	612	808	4
electrónica	60	98	103	111	612	808	4
de	109	98	118	111	612	808	4
barrido	124	98	153	111	612	808	4
fueron	158	98	185	111	612	808	4
utilizadas	190	98	228	111	612	808	4
las	234	98	245	111	612	808	4
muestras	251	98	286	111	612	808	4
obtenidas	60	110	98	123	612	808	4
para	102	110	119	123	612	808	4
las	122	110	134	123	612	808	4
concentraciones	137	110	202	123	612	808	4
de	205	110	215	123	612	808	4
disprosio	218	110	255	123	612	808	4
de	259	110	268	123	612	808	4
x	272	110	277	123	612	808	4
=	281	110	286	123	612	808	4
0;	60	122	67	135	612	808	4
0,02;	70	122	90	135	612	808	4
0,03	93	122	111	135	612	808	4
y	113	122	118	135	612	808	4
0,04	121	122	138	135	612	808	4
en	141	122	151	135	612	808	4
los	153	122	165	135	612	808	4
compuestos	168	122	215	135	612	808	4
de	218	122	227	135	612	808	4
Dy	230	122	242	135	612	808	4
x	242	129	245	137	612	808	4
In	245	122	253	135	612	808	4
1-x	253	129	261	137	612	808	4
Sb,	261	122	274	135	612	808	4
ya	277	122	286	135	612	808	4
que	60	134	74	147	612	808	4
en	77	134	86	147	612	808	4
estas	89	134	109	147	612	808	4
muestras	112	134	147	147	612	808	4
no	150	134	160	147	612	808	4
está	163	134	179	147	612	808	4
presente	181	134	215	147	612	808	4
la	218	134	225	147	612	808	4
fase	228	134	244	147	612	808	4
DySb.	247	134	272	147	612	808	4
En	275	134	286	147	612	808	4
general,	60	146	91	159	612	808	4
se	95	146	103	159	612	808	4
puede	107	146	131	159	612	808	4
observar	135	146	169	159	612	808	4
que	173	146	187	159	612	808	4
las	191	146	202	159	612	808	4
muestras	206	146	241	159	612	808	4
de	245	146	254	159	612	808	4
Dy	258	146	270	159	612	808	4
x	270	153	273	161	612	808	4
In	273	146	281	159	612	808	4
1-	281	153	286	161	612	808	4
Sb	62	158	73	171	612	808	4
con	77	158	92	171	612	808	4
x	96	158	101	171	612	808	4
=	105	158	110	171	612	808	4
0;	114	158	122	171	612	808	4
0,02	126	158	144	171	612	808	4
y	148	158	153	171	612	808	4
0,03	157	158	174	171	612	808	4
las	178	158	190	171	612	808	4
partículas	194	158	233	171	612	808	4
o	237	158	242	171	612	808	4
agregados	246	158	286	171	612	808	4
x	60	165	62	173	612	808	4
presentan	60	170	98	183	612	808	4
diferentes	105	170	144	183	612	808	4
formas	151	170	178	183	612	808	4
irregulares,	185	170	230	183	612	808	4
alargadas	237	170	275	183	612	808	4
y	281	170	286	183	612	808	4
puntiagudas.	60	182	110	195	612	808	4
Algunas	115	182	148	195	612	808	4
de	153	182	162	195	612	808	4
estas	167	182	186	195	612	808	4
partículas	191	182	230	195	612	808	4
se	235	182	243	195	612	808	4
presentan	248	182	286	195	612	808	4
como	60	194	82	207	612	808	4
apilados	85	194	119	207	612	808	4
en	122	194	132	207	612	808	4
forma	135	194	159	207	612	808	4
de	163	194	172	207	612	808	4
maclas,	176	194	206	207	612	808	4
todos	210	194	231	207	612	808	4
con	235	194	249	207	612	808	4
tamaños	253	194	286	207	612	808	4
muy	303	86	321	99	612	808	4
parecidos	324	86	362	99	612	808	4
(x	365	86	373	99	612	808	4
=	376	86	382	99	612	808	4
0;	385	86	392	99	612	808	4
Fig.	395	86	411	99	612	808	4
2a),	414	86	429	99	612	808	4
apilamiento	432	86	479	99	612	808	4
de	482	86	491	99	612	808	4
laminilla	494	86	530	99	612	808	4
(x	303	98	312	111	612	808	4
=	315	98	321	111	612	808	4
0,02;	324	98	344	111	612	808	4
Fig.	348	98	364	111	612	808	4
2b),	367	98	383	111	612	808	4
o	386	98	391	111	612	808	4
partículas	395	98	434	111	612	808	4
que	437	98	452	111	612	808	4
se	455	98	463	111	612	808	4
producen	467	98	504	111	612	808	4
como	508	98	530	111	612	808	4
resultado	303	110	340	123	612	808	4
del	344	110	356	123	612	808	4
aglomerado	360	110	407	123	612	808	4
de	411	110	421	123	612	808	4
otras	425	110	444	123	612	808	4
(x	448	110	457	123	612	808	4
=	461	110	466	123	612	808	4
0,03;	470	110	491	123	612	808	4
Fig.	495	110	510	123	612	808	4
2c).	515	110	530	123	612	808	4
A	303	122	310	135	612	808	4
diferencia	313	122	353	135	612	808	4
de	357	122	366	135	612	808	4
las	370	122	381	135	612	808	4
anteriores,	385	122	427	135	612	808	4
la	430	122	438	135	612	808	4
muestra	441	122	473	135	612	808	4
con	476	122	491	135	612	808	4
x	494	122	499	135	612	808	4
=	503	122	509	135	612	808	4
0,04	512	122	530	135	612	808	4
presenta	303	134	336	147	612	808	4
morfologías	342	134	390	147	612	808	4
más	395	134	411	147	612	808	4
definidas	416	134	452	147	612	808	4
en	458	134	467	147	612	808	4
las	472	134	483	147	612	808	4
partículas.	488	134	530	147	612	808	4
Algunas	303	146	337	159	612	808	4
de	343	146	352	159	612	808	4
ellas	359	146	377	159	612	808	4
con	383	146	398	159	612	808	4
formas	404	146	432	159	612	808	4
romboédricas	438	146	493	159	612	808	4
y	499	146	504	159	612	808	4
otras	510	146	530	159	612	808	4
como	303	158	325	171	612	808	4
especie	330	158	359	171	612	808	4
de	364	158	373	171	612	808	4
cubos	378	158	401	171	612	808	4
alargados,	405	158	446	171	612	808	4
todos	450	158	472	171	612	808	4
de	477	158	486	171	612	808	4
diferentes	490	158	530	171	612	808	4
tamaños	303	170	337	183	612	808	4
(Fig.	340	170	359	183	612	808	4
2d).	363	170	378	183	612	808	4
Esto	382	170	400	183	612	808	4
hace	403	170	421	183	612	808	4
intuir	425	170	447	183	612	808	4
que	450	170	464	183	612	808	4
es	468	170	476	183	612	808	4
muy	480	170	497	183	612	808	4
posible	501	170	530	183	612	808	4
que	303	182	318	195	612	808	4
el	322	182	329	195	612	808	4
incremento	333	182	378	195	612	808	4
en	382	182	391	195	612	808	4
la	395	182	402	195	612	808	4
concentración	406	182	462	195	612	808	4
de	466	182	476	195	612	808	4
disprosio	480	182	516	195	612	808	4
en	520	182	530	195	612	808	4
las	303	194	314	207	612	808	4
muestras,	317	194	355	207	612	808	4
pueda	357	194	381	207	612	808	4
afectar	383	194	410	207	612	808	4
la	413	194	420	207	612	808	4
morfología	422	194	467	207	612	808	4
de	469	194	478	207	612	808	4
la	481	194	488	207	612	808	4
fase	490	194	506	207	612	808	4
InSb.	508	194	530	207	612	808	4
a	199	441	202	451	612	808	4
b	397	441	401	451	612	808	4
c	199	683	202	694	612	808	4
d	397	683	401	694	612	808	4
Figura	93	700	114	710	612	808	4
2.	116	700	122	710	612	808	4
Micrografía	124	700	163	710	612	808	4
de	165	700	172	710	612	808	4
muestras	174	700	203	710	612	808	4
de	205	700	212	710	612	808	4
Dy	214	700	224	710	612	808	4
x	224	706	226	712	612	808	4
In	226	700	233	710	612	808	4
1-x	233	706	239	712	612	808	4
Sb	239	700	247	710	612	808	4
con:	249	700	263	710	612	808	4
(a)	265	700	274	710	612	808	4
x	276	700	280	710	612	808	4
=	282	700	287	710	612	808	4
0;	289	700	295	710	612	808	4
(b)	297	700	306	710	612	808	4
x	308	700	312	710	612	808	4
=	314	700	319	710	612	808	4
0,02;	321	700	337	710	612	808	4
(c)	339	700	348	710	612	808	4
x	350	700	354	710	612	808	4
=	356	700	360	710	612	808	4
0,03;	362	700	379	710	612	808	4
(d)	381	700	390	710	612	808	4
x	392	700	396	710	612	808	4
=	398	700	402	710	612	808	4
0,04	404	700	418	710	612	808	4
(1200X,	420	700	447	710	612	808	4
Barra	449	700	467	710	612	808	4
=	469	700	473	710	612	808	4
17	475	700	483	710	612	808	4
µm)	485	700	499	710	612	808	4
177	289	736	303	749	612	808	4
Síntesis,	213	48	241	59	612	808	5
caracterización	243	48	293	59	612	808	5
estructural	295	48	331	59	612	808	5
y	333	48	337	59	612	808	5
propiedades	339	48	379	59	612	808	5
magnéticas..	381	48	422	59	612	808	5
Con	96	86	113	99	612	808	5
respecto	120	86	154	99	612	808	5
a	161	86	166	99	612	808	5
las	173	86	184	99	612	808	5
medidas	191	86	225	99	612	808	5
de	232	86	241	99	612	808	5
susceptibilidad	249	86	309	99	612	808	5
magnética	82	98	123	111	612	808	5
de	128	98	138	111	612	808	5
los	143	98	155	111	612	808	5
compuestos	160	98	207	111	612	808	5
de	212	98	222	111	612	808	5
Dy	227	98	239	111	612	808	5
x	239	105	242	113	612	808	5
In	242	98	250	111	612	808	5
1-x	250	105	258	113	612	808	5
Sb	258	98	268	111	612	808	5
con	274	98	288	111	612	808	5
x	293	98	298	111	612	808	5
=	303	98	309	111	612	808	5
0,02;	82	110	102	123	612	808	5
0,03;	106	110	126	123	612	808	5
0,04	129	110	147	123	612	808	5
y	150	110	155	123	612	808	5
1	159	110	164	123	612	808	5
(Fig.	167	110	186	123	612	808	5
3	190	110	195	123	612	808	5
a	198	110	202	123	612	808	5
6),	206	110	216	123	612	808	5
se	220	110	228	123	612	808	5
tiene	232	110	251	123	612	808	5
que	254	110	269	123	612	808	5
todos	272	110	294	123	612	808	5
los	297	110	309	123	612	808	5
compuestos	82	122	129	135	612	808	5
estudiados	134	122	176	135	612	808	5
cumplen	181	122	216	135	612	808	5
con	221	122	235	135	612	808	5
la	240	122	247	135	612	808	5
ley	252	122	264	135	612	808	5
de	269	122	278	135	612	808	5
Curie-	283	122	309	135	612	808	5
Weiss	82	134	106	147	612	808	5
en	109	134	119	147	612	808	5
la	122	134	130	147	612	808	5
región	133	134	159	147	612	808	5
de	162	134	172	147	612	808	5
temperatura	176	134	223	147	612	808	5
estudiada	227	134	265	147	612	808	5
(80	268	134	282	147	612	808	5
–	285	134	290	147	612	808	5
300	294	134	309	147	612	808	5
K),	82	146	95	159	612	808	5
tal	98	146	108	159	612	808	5
como	111	146	133	159	612	808	5
se	136	146	145	159	612	808	5
observa	147	146	179	159	612	808	5
en	181	146	191	159	612	808	5
las	194	146	205	159	612	808	5
gráficas	208	146	239	159	612	808	5
del	242	146	254	159	612	808	5
inverso	257	146	286	159	612	808	5
de	289	146	299	159	612	808	5
la	302	146	309	159	612	808	5
susceptibilidad	82	158	142	171	612	808	5
(χ	145	158	152	171	612	808	5
-1	152	159	157	166	612	808	5
)	157	158	161	171	612	808	5
vs	163	158	172	171	612	808	5
la	174	158	182	171	612	808	5
temperatura.	184	158	234	171	612	808	5
De	237	158	249	171	612	808	5
estos	251	158	271	171	612	808	5
estudios,	274	158	309	171	612	808	5
se	82	170	91	183	612	808	5
deduce	95	170	123	183	612	808	5
que	128	170	142	183	612	808	5
los	147	170	159	183	612	808	5
compuestos	163	170	211	183	612	808	5
dopados	215	170	249	183	612	808	5
con	253	170	268	183	612	808	5
disprosio	272	170	309	183	612	808	5
presentan	82	182	121	195	612	808	5
un	126	182	136	195	612	808	5
notable	142	182	171	195	612	808	5
comportamiento	176	182	242	195	612	808	5
paramagnético.	247	182	309	195	612	808	5
Es	82	194	92	207	612	808	5
de	96	194	105	207	612	808	5
resaltar	108	194	138	207	612	808	5
que	141	194	155	207	612	808	5
la	159	194	166	207	612	808	5
fase	169	194	185	207	612	808	5
en	189	194	198	207	612	808	5
estudio	201	194	230	207	612	808	5
es	234	194	242	207	612	808	5
InSb,	245	194	267	207	612	808	5
la	270	194	277	207	612	808	5
cual	281	194	297	207	612	808	5
es	300	194	309	207	612	808	5
diamagnética,	82	206	138	219	612	808	5
comportamiento	141	206	207	219	612	808	5
magnético	210	206	252	219	612	808	5
de	255	206	265	219	612	808	5
muy	268	206	286	219	612	808	5
poco	289	206	309	219	612	808	5
interés.	82	218	111	231	612	808	5
Sin	116	218	130	231	612	808	5
embargo,	134	218	172	231	612	808	5
al	177	218	184	231	612	808	5
dopar	189	218	212	231	612	808	5
el	216	218	224	231	612	808	5
InSb	229	218	247	231	612	808	5
con	252	218	267	231	612	808	5
pequeñas	272	218	309	231	612	808	5
cantidades	82	230	124	243	612	808	5
de	126	230	136	243	612	808	5
disprosio,	138	230	177	243	612	808	5
el	179	230	186	243	612	808	5
comportamiento	188	230	253	243	612	808	5
diamagnético	255	230	309	243	612	808	5
del	82	242	94	255	612	808	5
InSb	96	242	115	255	612	808	5
cambia	116	242	145	255	612	808	5
a	146	242	151	255	612	808	5
paramagnético.	152	242	213	255	612	808	5
Una	215	242	231	255	612	808	5
posible	233	242	261	255	612	808	5
explicación	263	242	309	255	612	808	5
de	326	86	335	99	612	808	5
este	339	86	355	99	612	808	5
hecho	359	86	383	99	612	808	5
es	387	86	395	99	612	808	5
que	400	86	414	99	612	808	5
el	418	86	425	99	612	808	5
compuesto	430	86	473	99	612	808	5
dopado	477	86	506	99	612	808	5
Dy	511	86	523	99	612	808	5
x	523	93	526	101	612	808	5
In	526	86	534	99	612	808	5
1-x	534	93	542	101	612	808	5
Sb	542	86	552	99	612	808	5
tiende	326	98	350	111	612	808	5
a	354	98	358	111	612	808	5
comportarse	362	98	412	111	612	808	5
magnéticamente	415	98	481	111	612	808	5
similar	485	98	512	111	612	808	5
al	516	98	523	111	612	808	5
DySb,	527	98	552	111	612	808	5
compuesto	326	110	369	123	612	808	5
que	372	110	386	123	612	808	5
es	389	110	397	123	612	808	5
paramagnético,	400	110	461	123	612	808	5
como	464	110	486	123	612	808	5
se	488	110	497	123	612	808	5
demuestra	499	110	540	123	612	808	5
en	543	110	552	123	612	808	5
las	326	122	337	135	612	808	5
medidas	340	122	373	135	612	808	5
magnéticas	376	122	421	135	612	808	5
realizadas	423	122	463	135	612	808	5
al	466	122	473	135	612	808	5
compuesto	476	122	519	135	612	808	5
con	522	122	536	135	612	808	5
x	539	122	544	135	612	808	5
=	547	122	552	135	612	808	5
1.	326	134	333	147	612	808	5
A	336	134	343	147	612	808	5
pesar	346	134	367	147	612	808	5
de	370	134	379	147	612	808	5
que	382	134	397	147	612	808	5
en	400	134	409	147	612	808	5
la	412	134	420	147	612	808	5
región	423	134	448	147	612	808	5
de	451	134	461	147	612	808	5
temperatura	464	134	512	147	612	808	5
estudiada	515	134	552	147	612	808	5
el	326	146	333	159	612	808	5
comportamiento	340	146	405	159	612	808	5
es	412	146	420	159	612	808	5
paramagnético,	426	146	488	159	612	808	5
la	494	146	502	159	612	808	5
interacción	508	146	552	159	612	808	5
magnética	326	158	367	171	612	808	5
predominante	371	158	426	171	612	808	5
es	430	158	438	171	612	808	5
de	443	158	452	171	612	808	5
tipo	456	158	472	171	612	808	5
ferromagnética,	476	158	539	171	612	808	5
ya	543	158	552	171	612	808	5
que	326	170	340	183	612	808	5
los	344	170	356	183	612	808	5
valores	360	170	389	183	612	808	5
de	393	170	402	183	612	808	5
las	406	170	417	183	612	808	5
temperaturas	421	170	473	183	612	808	5
paramagnéticas	477	170	539	183	612	808	5
de	543	170	552	183	612	808	5
Curie	326	182	348	195	612	808	5
(θ)	352	182	363	195	612	808	5
son	367	182	380	195	612	808	5
positivos	384	182	420	195	612	808	5
en	424	182	433	195	612	808	5
cada	437	182	455	195	612	808	5
uno	459	182	474	195	612	808	5
de	477	182	486	195	612	808	5
los	490	182	502	195	612	808	5
compuestos	505	182	552	195	612	808	5
estudiados	326	194	368	207	612	808	5
(Tabla	372	194	398	207	612	808	5
1).	402	194	413	207	612	808	5
Se	417	194	427	207	612	808	5
observa	431	194	462	207	612	808	5
que	466	194	480	207	612	808	5
el	485	194	492	207	612	808	5
valor	496	194	516	207	612	808	5
de	521	194	530	207	612	808	5
θ	534	194	539	207	612	808	5
en	543	194	552	207	612	808	5
el	326	206	333	219	612	808	5
compuesto	337	206	380	219	612	808	5
con	384	206	398	219	612	808	5
x	402	206	407	219	612	808	5
=	411	206	416	219	612	808	5
0,04	420	206	437	219	612	808	5
es	441	206	449	219	612	808	5
mayor	453	206	479	219	612	808	5
al	482	206	490	219	612	808	5
valor	493	206	514	219	612	808	5
obtenido	517	206	552	219	612	808	5
para	326	218	343	231	612	808	5
x	346	218	351	231	612	808	5
=	354	218	360	231	612	808	5
1.	363	218	371	231	612	808	5
Este	374	218	391	231	612	808	5
comportamiento	394	218	460	231	612	808	5
no	463	218	473	231	612	808	5
debió	476	218	499	231	612	808	5
esperarse,	502	218	541	231	612	808	5
lo	545	218	552	231	612	808	5
que	326	230	340	243	612	808	5
hace	344	230	362	243	612	808	5
suponer	365	230	397	243	612	808	5
que	400	230	415	243	612	808	5
este	418	230	434	243	612	808	5
compuesto	437	230	480	243	612	808	5
(x	484	230	492	243	612	808	5
=	495	230	501	243	612	808	5
0,04)	504	230	525	243	612	808	5
puede	529	230	552	243	612	808	5
presentar	326	242	362	255	612	808	5
problemas	365	242	407	255	612	808	5
con	409	242	424	255	612	808	5
la	426	242	433	255	612	808	5
estequiometria.	436	242	497	255	612	808	5
a	206	420	209	430	612	808	5
b	426	420	430	430	612	808	5
Figura	82	439	103	450	612	808	5
3:	105	439	111	450	612	808	5
Gráficas	113	439	140	450	612	808	5
de:	142	439	151	450	612	808	5
(a)	153	439	162	450	612	808	5
susceptibilidad	164	439	212	450	612	808	5
magnética	214	439	247	450	612	808	5
(χ),	249	439	260	450	612	808	5
y	262	439	266	450	612	808	5
(b)	268	439	277	450	612	808	5
inverso	279	439	302	450	612	808	5
de	304	439	312	450	612	808	5
la	314	439	319	450	612	808	5
susceptibilidad	321	439	369	450	612	808	5
magnética	371	439	404	450	612	808	5
(χ	406	439	412	450	612	808	5
-1	412	440	416	446	612	808	5
)	416	439	419	450	612	808	5
vs	421	439	428	450	612	808	5
temperatura	430	439	468	450	612	808	5
para	470	439	484	450	612	808	5
el	486	439	491	450	612	808	5
compuesto	493	439	528	450	612	808	5
Dy	530	439	540	450	612	808	5
x	540	445	542	451	612	808	5
In	542	439	549	450	612	808	5
1-	549	445	552	451	612	808	5
Sb	85	451	93	462	612	808	5
x	95	451	99	462	612	808	5
=	101	451	105	462	612	808	5
0,02.	107	451	123	462	612	808	5
x	82	457	85	463	612	808	5
a	202	629	206	640	612	808	5
b	431	629	435	640	612	808	5
Figura	82	645	103	656	612	808	5
4:	105	645	111	656	612	808	5
Gráficas	113	645	140	656	612	808	5
de:	142	645	151	656	612	808	5
(a)	153	645	162	656	612	808	5
susceptibilidad	164	645	212	656	612	808	5
magnética	214	645	247	656	612	808	5
(χ),	249	645	260	656	612	808	5
y	262	645	266	656	612	808	5
(b)	268	645	277	656	612	808	5
inverso	279	645	302	656	612	808	5
de	304	645	312	656	612	808	5
la	314	645	319	656	612	808	5
susceptibilidad	321	645	369	656	612	808	5
magnética	371	645	404	656	612	808	5
(χ	406	645	412	656	612	808	5
)	416	645	419	656	612	808	5
vs	421	645	428	656	612	808	5
temperatura	430	645	468	656	612	808	5
para	470	645	484	656	612	808	5
el	486	645	491	656	612	808	5
compuesto	493	645	528	656	612	808	5
Dy	530	645	540	656	612	808	5
x	540	651	542	657	612	808	5
In	542	645	549	656	612	808	5
1-	549	651	552	657	612	808	5
Sb	85	657	93	668	612	808	5
x	95	657	99	668	612	808	5
=	101	657	105	668	612	808	5
0,03.	107	657	123	668	612	808	5
x	82	663	85	669	612	808	5
-1	412	646	416	652	612	808	5
178	311	736	325	749	612	808	5
V	255	48	261	60	612	808	6
elazco	261	51	286	59	612	808	6
R	288	48	294	60	612	808	6
ivero	295	51	314	59	612	808	6
et	317	48	323	60	612	808	6
al.	325	48	335	60	612	808	6
a	182	244	186	254	612	808	6
b	407	244	411	254	612	808	6
Figura	60	258	80	268	612	808	6
5:	82	258	89	268	612	808	6
Gráficas	90	258	117	268	612	808	6
de:	119	258	129	268	612	808	6
(a)	131	258	140	268	612	808	6
susceptibilidad	142	258	190	268	612	808	6
magnética	191	258	224	268	612	808	6
(χ),	226	258	237	268	612	808	6
y	239	258	243	268	612	808	6
(b)	245	258	254	268	612	808	6
inverso	256	258	280	268	612	808	6
de	282	258	289	268	612	808	6
la	291	258	297	268	612	808	6
susceptibilidad	299	258	347	268	612	808	6
magnética	349	258	382	268	612	808	6
(χ	383	258	390	268	612	808	6
)	394	258	396	268	612	808	6
vs	398	258	405	268	612	808	6
temperatura	407	258	445	268	612	808	6
para	447	258	461	268	612	808	6
el	463	258	469	268	612	808	6
compuesto	471	258	505	268	612	808	6
Dy	507	258	517	268	612	808	6
x	517	264	519	270	612	808	6
In	519	258	526	268	612	808	6
1-	526	264	530	270	612	808	6
Sb	62	270	70	280	612	808	6
x	72	270	76	280	612	808	6
=	78	270	83	280	612	808	6
0,04.	85	270	101	280	612	808	6
x	60	276	62	282	612	808	6
-1	390	259	394	265	612	808	6
a	177	447	181	457	612	808	6
b	398	447	402	457	612	808	6
Figura	60	461	80	471	612	808	6
6:	82	461	89	471	612	808	6
Gráficas	90	461	117	471	612	808	6
de:	119	461	129	471	612	808	6
(a)	131	461	140	471	612	808	6
susceptibilidad	142	461	190	471	612	808	6
magnética	191	461	224	471	612	808	6
(χ),	226	461	237	471	612	808	6
y	239	461	243	471	612	808	6
(b)	245	461	254	471	612	808	6
inverso	256	461	280	471	612	808	6
de	282	461	289	471	612	808	6
la	291	461	297	471	612	808	6
susceptibilidad	299	461	347	471	612	808	6
magnética	349	461	382	471	612	808	6
(χ	383	461	390	471	612	808	6
)	394	461	396	471	612	808	6
vs	398	461	405	471	612	808	6
temperatura	407	461	445	471	612	808	6
para	447	461	461	471	612	808	6
el	463	461	469	471	612	808	6
compuesto	471	461	505	471	612	808	6
Dy	507	461	517	471	612	808	6
x	517	467	519	473	612	808	6
In	519	461	526	471	612	808	6
1-	526	467	530	473	612	808	6
Sb	62	473	70	483	612	808	6
x	72	473	76	483	612	808	6
=	78	473	83	483	612	808	6
1.	85	473	91	483	612	808	6
x	60	479	62	485	612	808	6
-1	390	462	394	468	612	808	6
Tabla	156	490	176	502	612	808	6
1.	178	490	185	502	612	808	6
Valores	186	490	213	502	612	808	6
de	215	490	224	502	612	808	6
temperatura	226	490	269	502	612	808	6
de	271	490	279	502	612	808	6
Curie	281	490	301	502	612	808	6
(θ)	303	490	313	502	612	808	6
de	315	490	324	502	612	808	6
los	325	490	336	502	612	808	6
compuestos	338	490	380	502	612	808	6
estudiados	382	490	420	502	612	808	6
en	422	490	431	502	612	808	6
función	433	490	460	502	612	808	6
a	156	502	160	514	612	808	6
la	162	502	169	514	612	808	6
relación	171	502	200	514	612	808	6
estequiométrica	202	502	259	514	612	808	6
x	262	502	266	514	612	808	6
en	268	502	277	514	612	808	6
Dy	279	502	290	514	612	808	6
x	290	509	293	516	612	808	6
In	293	502	300	514	612	808	6
1-x	300	509	307	516	612	808	6
Sb.	307	502	319	514	612	808	6
x	264	522	268	534	612	808	6
θ	320	522	324	534	612	808	6
(K)	327	522	339	534	612	808	6
0,02	258	539	274	551	612	808	6
+8,54	319	539	340	551	612	808	6
0,03	258	556	274	568	612	808	6
+9,86	319	556	340	568	612	808	6
0,04	258	573	274	585	612	808	6
+24,00	317	573	342	585	612	808	6
1	264	590	268	602	612	808	6
+21,51	317	590	342	602	612	808	6
CONCLUSIONES	133	614	213	627	612	808	6
atómico.	303	614	338	627	612	808	6
A	74	638	81	651	612	808	6
muy	86	638	104	651	612	808	6
bajas	110	638	131	651	612	808	6
cantidades	137	638	179	651	612	808	6
de	185	638	194	651	612	808	6
disprosio	200	638	237	651	612	808	6
es	243	638	251	651	612	808	6
posible	257	638	286	651	612	808	6
obtener	60	650	90	663	612	808	6
compuestos	92	650	139	663	612	808	6
dopados	142	650	175	663	612	808	6
de	177	650	187	663	612	808	6
InSb	189	650	208	663	612	808	6
de	211	650	220	663	612	808	6
fórmula	223	650	254	663	612	808	6
general	257	650	286	663	612	808	6
Dy	60	662	72	675	612	808	6
x	72	669	75	677	612	808	6
In	75	662	83	675	612	808	6
1-x	83	669	91	677	612	808	6
Sb,	91	662	104	675	612	808	6
con	108	662	123	675	612	808	6
x	127	662	132	675	612	808	6
=	136	662	142	675	612	808	6
0,02;	146	662	166	675	612	808	6
0,03	170	662	188	675	612	808	6
y	192	662	197	675	612	808	6
0,04.	201	662	221	675	612	808	6
Por	226	662	239	675	612	808	6
encima	244	662	273	675	612	808	6
de	277	662	286	675	612	808	6
estos	60	674	80	687	612	808	6
valores,	83	674	114	687	612	808	6
se	117	674	125	687	612	808	6
debe	128	674	147	687	612	808	6
producir	150	674	184	687	612	808	6
la	187	674	194	687	612	808	6
reacción	197	674	231	687	612	808	6
del	234	674	246	687	612	808	6
disprosio	250	674	286	687	612	808	6
con	60	686	74	699	612	808	6
el	77	686	84	699	612	808	6
antimonio,	87	686	131	699	612	808	6
ante	134	686	150	699	612	808	6
la	153	686	161	699	612	808	6
dificultad	164	686	201	699	612	808	6
de	205	686	214	699	612	808	6
la	217	686	224	699	612	808	6
sustitución	228	686	271	699	612	808	6
del	274	686	286	699	612	808	6
indio	60	698	80	711	612	808	6
por	82	698	96	711	612	808	6
disprosio,	98	698	137	711	612	808	6
por	139	698	153	711	612	808	6
ser	155	698	167	711	612	808	6
éste	169	698	184	711	612	808	6
un	187	698	197	711	612	808	6
átomo	199	698	224	711	612	808	6
de	226	698	236	711	612	808	6
mayor	238	698	263	711	612	808	6
radio	266	698	286	711	612	808	6
Los	317	638	332	651	612	808	6
compuestos	338	638	385	651	612	808	6
de	390	638	400	651	612	808	6
Dy	405	638	417	651	612	808	6
x	417	645	420	653	612	808	6
In	420	638	428	651	612	808	6
1-x	428	645	436	653	612	808	6
Sb	436	638	447	651	612	808	6
(x	452	638	460	651	612	808	6
=	466	638	471	651	612	808	6
0,02;	476	638	497	651	612	808	6
0,03	502	638	520	651	612	808	6
y	525	638	530	651	612	808	6
0,04)	303	650	324	663	612	808	6
sintetizados,	328	650	377	663	612	808	6
presentaron	381	650	428	663	612	808	6
morfologías	431	650	480	663	612	808	6
variadas	483	650	517	663	612	808	6
de	520	650	530	663	612	808	6
partículas,	303	662	345	675	612	808	6
con	349	662	363	675	612	808	6
variedad	367	662	402	675	612	808	6
de	406	662	415	675	612	808	6
formas	419	662	447	675	612	808	6
y	451	662	456	675	612	808	6
tamaños	460	662	494	675	612	808	6
en	498	662	507	675	612	808	6
cada	511	662	530	675	612	808	6
uno.	303	674	321	687	612	808	6
La	317	698	328	711	612	808	6
presencia	331	698	369	711	612	808	6
del	372	698	384	711	612	808	6
disprosio	387	698	424	711	612	808	6
en	427	698	437	711	612	808	6
la	440	698	447	711	612	808	6
estructura	450	698	490	711	612	808	6
del	493	698	505	711	612	808	6
InSb,	508	698	530	711	612	808	6
179	289	736	303	749	612	808	6
Síntesis,	213	48	241	59	612	808	7
caracterización	243	48	293	59	612	808	7
estructural	295	48	331	59	612	808	7
y	333	48	337	59	612	808	7
propiedades	339	48	379	59	612	808	7
magnéticas..	381	48	422	59	612	808	7
posiblemente	82	86	136	99	612	808	7
provoque	138	86	176	99	612	808	7
el	179	86	186	99	612	808	7
cambio	189	86	218	99	612	808	7
en	221	86	231	99	612	808	7
el	233	86	241	99	612	808	7
comportamiento	243	86	309	99	612	808	7
diamagnético	82	98	136	111	612	808	7
característico	140	98	193	111	612	808	7
del	197	98	210	111	612	808	7
InSb,	214	98	235	111	612	808	7
a	239	98	243	111	612	808	7
paramagnético,	247	98	309	111	612	808	7
característico	82	110	136	123	612	808	7
del	138	110	150	123	612	808	7
DySb.	153	110	178	123	612	808	7
McW	326	86	349	99	612	808	7
han	349	89	364	98	612	808	7
DB,	373	86	389	99	612	808	7
M	398	86	407	99	612	808	7
arezio	407	89	432	98	612	808	7
M.	441	86	452	99	612	808	7
1966.	461	86	484	99	612	808	7
Structure	493	86	529	99	612	808	7
and	538	86	552	99	612	808	7
superconductivity	354	98	426	111	612	808	7
of	429	98	437	111	612	808	7
the	441	98	453	111	612	808	7
high-pressure	456	98	511	111	612	808	7
phases	514	98	541	111	612	808	7
of	544	98	552	111	612	808	7
InSb.	354	110	376	123	612	808	7
J.	378	110	384	123	612	808	7
Chem.	387	110	413	123	612	808	7
Phys.	416	110	438	123	612	808	7
45(7):2508-2511.	440	110	510	123	612	808	7
AGRADECIMIENTO	148	134	243	147	612	808	7
M	326	134	335	147	612	808	7
orelli	335	137	360	146	612	808	7
DT,	361	134	376	147	612	808	7
P	378	134	384	147	612	808	7
artin	384	137	405	146	612	808	7
DL,	406	134	422	147	612	808	7
H	424	134	431	147	612	808	7
eremans	431	137	465	146	612	808	7
J,	466	134	473	147	612	808	7
T	474	134	480	147	612	808	7
hrush	480	137	504	146	612	808	7
CM.	506	134	524	147	612	808	7
1992a.	526	134	552	147	612	808	7
Erbium	354	146	384	159	612	808	7
doping	390	146	418	159	612	808	7
of	425	146	433	159	612	808	7
molecular-beam	439	146	504	159	612	808	7
epitaxially	510	146	552	159	612	808	7
grown	354	158	380	171	612	808	7
InSb	385	158	404	171	612	808	7
on	410	158	420	171	612	808	7
InP.	426	158	441	171	612	808	7
J.	447	158	453	171	612	808	7
Vac.	459	158	476	171	612	808	7
Sci.	482	158	497	171	612	808	7
Technol.	503	158	538	171	612	808	7
B.	543	158	552	171	612	808	7
10(2):659-663.	354	170	414	183	612	808	7
Al	96	158	106	171	612	808	7
Dr.	112	158	124	171	612	808	7
Vicente	129	158	160	171	612	808	7
Sagredo	165	158	198	171	612	808	7
Arias	202	158	224	171	612	808	7
del	229	158	242	171	612	808	7
Laboratorio	247	158	294	171	612	808	7
de	299	158	309	171	612	808	7
Magnetismo,	82	170	135	183	612	808	7
Universidad	140	170	189	183	612	808	7
de	194	170	203	183	612	808	7
Los	209	170	224	183	612	808	7
Andes,	228	170	256	183	612	808	7
Mérida	261	170	290	183	612	808	7
por	295	170	309	183	612	808	7
la	82	182	89	195	612	808	7
realización	93	182	137	195	612	808	7
de	140	182	150	195	612	808	7
las	153	182	164	195	612	808	7
medidas	168	182	201	195	612	808	7
en	204	182	214	195	612	808	7
la	217	182	225	195	612	808	7
determinación	228	182	285	195	612	808	7
de	289	182	298	195	612	808	7
la	302	182	309	195	612	808	7
susceptibilidad	82	194	142	207	612	808	7
magnética	144	194	185	207	612	808	7
de	186	194	196	207	612	808	7
los	197	194	209	207	612	808	7
compuestos	210	194	258	207	612	808	7
sintetizados.	259	194	309	207	612	808	7
M	326	194	335	207	612	808	7
orelli	335	197	360	206	612	808	7
DT,	365	194	380	207	612	808	7
P	386	194	392	207	612	808	7
artin	392	197	413	206	612	808	7
DL,	419	194	434	207	612	808	7
H	440	194	447	207	612	808	7
eremans	447	197	481	206	612	808	7
J,	487	194	493	207	612	808	7
T	499	194	505	207	612	808	7
hrush	505	197	529	206	612	808	7
CM.	534	194	552	207	612	808	7
1992b.	354	206	382	219	612	808	7
Samarium	389	206	430	219	612	808	7
doping	437	206	465	219	612	808	7
of	472	206	480	219	612	808	7
molecular-beam	488	206	552	219	612	808	7
epitaxially	354	218	396	231	612	808	7
grown	403	218	429	231	612	808	7
InSb	435	218	454	231	612	808	7
on	461	218	471	231	612	808	7
InP.	478	218	493	231	612	808	7
J.	500	218	506	231	612	808	7
Vac.	513	218	530	231	612	808	7
Sci.	537	218	552	231	612	808	7
Technol.	354	230	389	243	612	808	7
B.	391	230	400	243	612	808	7
10(2):873-876.	403	230	463	243	612	808	7
REFERENCIAS	115	218	186	231	612	808	7
BIBLIOGRÁFICAS	189	218	276	231	612	808	7
A	82	242	89	255	612	808	7
léonard	89	245	123	254	612	808	7
R,	127	242	136	255	612	808	7
M	140	242	149	255	612	808	7
orin	149	245	166	254	612	808	7
P,	170	242	177	255	612	808	7
S	181	242	187	255	612	808	7
chimitt	187	245	216	254	612	808	7
D,	220	242	230	255	612	808	7
H	234	242	241	255	612	808	7
ulliger	241	245	271	254	612	808	7
F.	275	242	282	255	612	808	7
1984.	286	242	309	255	612	808	7
Parastriction	111	254	161	267	612	808	7
and	173	254	188	267	612	808	7
third-order	200	254	243	267	612	808	7
paramagnetic	255	254	309	267	612	808	7
susceptibility	111	266	164	279	612	808	7
of	169	266	177	279	612	808	7
DuSb.	182	266	207	279	612	808	7
J.	212	266	218	279	612	808	7
Phys.	223	266	245	279	612	808	7
F:	250	266	259	279	612	808	7
Met.	263	266	282	279	612	808	7
Phys.	287	266	309	279	612	808	7
14(11):2689-2699.	111	278	185	291	612	808	7
M	326	254	335	267	612	808	7
orelli	335	257	360	266	612	808	7
DT,	365	254	380	267	612	808	7
P	386	254	392	267	612	808	7
artin	392	257	413	266	612	808	7
DL,	419	254	434	267	612	808	7
H	440	254	447	267	612	808	7
eremans	447	257	481	266	612	808	7
J,	487	254	493	267	612	808	7
T	499	254	505	267	612	808	7
hrush	505	257	529	266	612	808	7
CM.	534	254	552	267	612	808	7
1992c.	354	266	381	279	612	808	7
Spin-disorder	388	266	443	279	612	808	7
scattering	450	266	489	279	612	808	7
in	496	266	504	279	612	808	7
europium-	511	266	552	279	612	808	7
doped	354	278	379	291	612	808	7
indium	382	278	410	291	612	808	7
antimonide	414	278	459	291	612	808	7
thin	462	278	478	291	612	808	7
films.	481	278	503	291	612	808	7
J.	507	278	513	291	612	808	7
Vac.	516	278	534	291	612	808	7
Sci.	537	278	552	291	612	808	7
Technol.	354	290	389	303	612	808	7
B.	391	290	400	303	612	808	7
10(1):110-113.	403	290	462	303	612	808	7
B	82	302	89	315	612	808	7
anus	89	305	108	314	612	808	7
MD,	112	302	130	315	612	808	7
L	134	302	140	315	612	808	7
avine	140	305	161	314	612	808	7
MC.	164	302	182	315	612	808	7
1969.	186	302	209	315	612	808	7
The	212	302	228	315	612	808	7
P-T	231	302	246	315	612	808	7
phase	250	302	272	315	612	808	7
diagram	276	302	309	315	612	808	7
of	111	314	119	327	612	808	7
InSb	121	314	140	327	612	808	7
at	142	314	150	327	612	808	7
high	152	314	170	327	612	808	7
temperatures	172	314	224	327	612	808	7
and	226	314	240	327	612	808	7
pressure.	243	314	278	327	612	808	7
J	281	314	285	327	612	808	7
Appl.	286	314	309	327	612	808	7
Phys.	111	326	132	339	612	808	7
40(1):409-413.	135	326	195	339	612	808	7
M	326	314	335	327	612	808	7
orris	335	317	355	326	612	808	7
B,	357	314	367	327	612	808	7
W	368	314	378	327	612	808	7
old	378	317	392	326	612	808	7
A.	394	314	404	327	612	808	7
1968.	406	314	428	327	612	808	7
Faraday	430	314	462	327	612	808	7
balance	464	314	495	327	612	808	7
for	497	314	509	327	612	808	7
measuring	511	314	552	327	612	808	7
of	354	326	363	339	612	808	7
magnetic	369	326	405	339	612	808	7
susceptibility.	412	326	467	339	612	808	7
Rev.	473	326	491	339	612	808	7
Sci.	497	326	513	339	612	808	7
Instrum.	519	326	552	339	612	808	7
39(12):1937-1940.	354	338	429	351	612	808	7
D	82	350	89	363	612	808	7
obbelaere	89	353	131	362	612	808	7
W,	135	350	146	363	612	808	7
D	151	350	158	363	612	808	7
eboeck	158	353	186	362	612	808	7
J,	191	350	198	363	612	808	7
H	203	350	210	363	612	808	7
eremans	210	353	243	362	612	808	7
P,	248	350	255	363	612	808	7
M	260	350	269	363	612	808	7
ertens	269	353	295	362	612	808	7
R,	300	350	309	363	612	808	7
B	111	362	117	375	612	808	7
orghs	117	365	141	374	612	808	7
G,	146	362	156	375	612	808	7
L	161	362	167	375	612	808	7
uyten	167	365	191	374	612	808	7
W,	196	362	207	375	612	808	7
V	212	362	219	375	612	808	7
an	219	365	229	374	612	808	7
L	234	362	240	375	612	808	7
anduyt	240	365	270	374	612	808	7
J.	275	362	281	375	612	808	7
1992.	286	362	309	375	612	808	7
InAs	111	374	130	387	612	808	7
0,85	130	381	140	389	612	808	7
Sb	140	374	151	387	612	808	7
0,15	151	381	161	389	612	808	7
infrared	169	374	201	387	612	808	7
photodiodes	209	374	257	387	612	808	7
grown	265	374	291	387	612	808	7
on	299	374	309	387	612	808	7
GaAs	111	386	133	399	612	808	7
and	138	386	153	399	612	808	7
GaAs-coated	157	386	210	399	612	808	7
Si	214	386	223	399	612	808	7
by	228	386	238	399	612	808	7
molecular	242	386	282	399	612	808	7
beam	287	386	309	399	612	808	7
epitaxy.	111	398	142	411	612	808	7
Appl.	144	398	166	411	612	808	7
Phys.	169	398	191	411	612	808	7
Lett.	193	398	212	411	612	808	7
60(26):3256-3258.	214	398	290	411	612	808	7
M	326	362	335	375	612	808	7
ullen	335	365	358	374	612	808	7
ME,	361	362	378	375	612	808	7
L	381	362	387	375	612	808	7
üthi	387	365	404	374	612	808	7
B,	407	362	416	375	612	808	7
W	419	362	428	375	612	808	7
ang	428	365	443	374	612	808	7
PS,	446	362	460	375	612	808	7
B	463	362	470	375	612	808	7
ucher	470	365	493	374	612	808	7
E,	496	362	505	375	612	808	7
L	508	362	514	375	612	808	7
onginotti	514	365	552	374	612	808	7
LD,	354	374	370	387	612	808	7
M	381	374	389	387	612	808	7
aita	389	377	406	386	612	808	7
JP.	416	374	427	387	612	808	7
1974.	438	374	460	387	612	808	7
Magnetic-ion-lattice	471	374	552	387	612	808	7
interaction:	354	386	400	399	612	808	7
Rare-earth	405	386	447	399	612	808	7
antimonides.	452	386	503	399	612	808	7
Phys.	508	386	530	399	612	808	7
Rev.	534	386	552	399	612	808	7
B.	354	398	363	411	612	808	7
10(1):186-199.	366	398	426	411	612	808	7
F	82	422	88	435	612	808	7
ranklin	88	425	119	434	612	808	7
GE,	122	422	138	435	612	808	7
R	141	422	147	435	612	808	7
ich	147	425	159	434	612	808	7
DH,	162	422	179	435	612	808	7
H	182	422	189	435	612	808	7
ong	189	425	204	434	612	808	7
H,	207	422	217	435	612	808	7
M	220	422	229	435	612	808	7
iller	229	425	248	434	612	808	7
T,	251	422	259	435	612	808	7
C	262	422	268	435	612	808	7
hiang	268	425	291	434	612	808	7
TC.	294	422	309	435	612	808	7
1992.	111	434	133	447	612	808	7
Interface	136	434	172	447	612	808	7
formation	175	434	214	447	612	808	7
and	217	434	231	447	612	808	7
growth	234	434	263	447	612	808	7
of	266	434	274	447	612	808	7
InSb	277	434	296	447	612	808	7
on	299	434	309	447	612	808	7
Si(100).	111	446	143	459	612	808	7
Phys.	146	446	167	459	612	808	7
Rev.	170	446	188	459	612	808	7
B.	190	446	200	459	612	808	7
45(7):3426-3434.	202	446	272	459	612	808	7
O	326	422	333	435	612	808	7
ktyabrsky	333	425	375	434	612	808	7
S,	379	422	387	435	612	808	7
Y	390	422	397	435	612	808	7
e	397	425	402	434	612	808	7
PD	405	422	418	435	612	808	7
(E	422	422	431	435	612	808	7
ditores	431	425	461	434	612	808	7
).	461	422	466	435	612	808	7
2010.	470	422	493	435	612	808	7
Fundamentals	496	422	552	435	612	808	7
of	354	434	362	447	612	808	7
III-V	369	434	389	447	612	808	7
semiconductors	395	434	458	447	612	808	7
MOSFETs,	464	434	510	447	612	808	7
Springer,	516	434	552	447	612	808	7
New	354	446	373	459	612	808	7
York,	375	446	397	459	612	808	7
USA,	400	446	422	459	612	808	7
pp.	425	446	437	459	612	808	7
8-9.	440	446	456	459	612	808	7
G	82	470	89	483	612	808	7
olstein	89	473	119	482	612	808	7
JI,	121	470	131	483	612	808	7
N	133	470	140	483	612	808	7
ewbury	140	473	170	482	612	808	7
DE,	172	470	188	483	612	808	7
E	190	470	196	483	612	808	7
chlin	196	473	218	482	612	808	7
P,	220	470	227	483	612	808	7
J	229	470	233	483	612	808	7
oy	233	473	243	482	612	808	7
DC,	245	470	262	483	612	808	7
L	264	470	270	483	612	808	7
yman	270	473	291	482	612	808	7
CE,	294	470	309	483	612	808	7
L	111	482	117	495	612	808	7
ifshin	117	485	139	494	612	808	7
E,	141	482	150	495	612	808	7
S	152	482	157	495	612	808	7
awyer	157	485	183	494	612	808	7
L,	185	482	193	495	612	808	7
M	195	482	204	495	612	808	7
ichael	204	485	230	494	612	808	7
JR.	232	482	245	495	612	808	7
2003.	247	482	270	495	612	808	7
Scanning	272	482	309	495	612	808	7
Electron	111	494	144	507	612	808	7
Microscopy	149	494	197	507	612	808	7
and	202	494	216	507	612	808	7
X-ray	221	494	245	507	612	808	7
Microanalysis.	250	494	309	507	612	808	7
Springer	111	506	145	519	612	808	7
Science	149	506	180	519	612	808	7
+	184	506	189	519	612	808	7
Business	193	506	229	519	612	808	7
Media,	233	506	261	519	612	808	7
New	264	506	283	519	612	808	7
York,	287	506	309	519	612	808	7
pp.	111	518	123	531	612	808	7
537-564.	126	518	161	531	612	808	7
O	326	470	333	483	612	808	7
rieux	333	473	354	482	612	808	7
A,	357	470	366	483	612	808	7
E	369	470	375	483	612	808	7
ckstein	375	473	405	482	612	808	7
A,	407	470	417	483	612	808	7
L	419	470	425	483	612	808	7
emaître	425	473	457	482	612	808	7
A,	459	470	468	483	612	808	7
F	471	470	477	483	612	808	7
illoux	477	473	503	482	612	808	7
P,	505	470	512	483	612	808	7
F	515	470	521	483	612	808	7
avero	521	473	544	482	612	808	7
I,	547	470	552	483	612	808	7
L	354	482	360	495	612	808	7
eo	360	485	370	494	612	808	7
G,	373	482	382	495	612	808	7
C	385	482	392	495	612	808	7
oudreau	392	485	426	494	612	808	7
T,	429	482	437	495	612	808	7
K	440	482	447	495	612	808	7
eller	447	485	469	494	612	808	7
A,	471	482	481	495	612	808	7
M	484	482	493	495	612	808	7
ilman	493	485	516	494	612	808	7
P,	519	482	526	495	612	808	7
D	529	482	536	495	612	808	7
ucci	536	485	552	494	612	808	7
S.	354	494	362	507	612	808	7
2013.	365	494	388	507	612	808	7
Direct	390	494	415	507	612	808	7
Bell	418	494	435	507	612	808	7
States	438	494	462	507	612	808	7
Generation	465	494	509	507	612	808	7
on	512	494	522	507	612	808	7
a	525	494	529	507	612	808	7
III-V	532	494	553	507	612	808	7
Semiconductor	354	506	415	519	612	808	7
Chip	417	506	437	519	612	808	7
at	439	506	446	519	612	808	7
Room	449	506	473	519	612	808	7
Temperature.	475	506	528	519	612	808	7
Phys.	530	506	552	519	612	808	7
Rev.	354	518	372	531	612	808	7
Lett.	375	518	393	531	612	808	7
110(16):160502-160507.	396	518	496	531	612	808	7
K	82	542	89	555	612	808	7
obayashi	89	545	124	554	612	808	7
T,	128	542	136	555	612	808	7
O	140	542	147	555	612	808	7
saka	147	545	166	554	612	808	7
J.	170	542	176	555	612	808	7
1984.	180	542	203	555	612	808	7
Gallium	207	542	239	555	612	808	7
arsenide	243	542	277	555	612	808	7
growth	280	542	309	555	612	808	7
by	111	554	121	567	612	808	7
synthesis	125	554	162	567	612	808	7
solute	167	554	191	567	612	808	7
diffusion	195	554	231	567	612	808	7
method.	236	554	269	567	612	808	7
J.	273	554	280	567	612	808	7
Cryst.	285	554	309	567	612	808	7
Growth.	111	566	144	579	612	808	7
67(2):319-323.	146	566	206	579	612	808	7
O	326	542	333	555	612	808	7
szwaldowski	333	545	384	554	612	808	7
M,	389	542	400	555	612	808	7
B	405	542	411	555	612	808	7
erus	411	545	429	554	612	808	7
T,	433	542	441	555	612	808	7
D	446	542	453	555	612	808	7
ugaev	453	545	478	554	612	808	7
VK.	482	542	499	555	612	808	7
2002.	503	542	526	555	612	808	7
Weak	530	542	552	555	612	808	7
location	354	554	386	567	612	808	7
in	391	554	399	567	612	808	7
InSb	403	554	422	567	612	808	7
thin	427	554	442	567	612	808	7
films	447	554	467	567	612	808	7
heavily	472	554	501	567	612	808	7
doped	506	554	530	567	612	808	7
with	535	554	552	567	612	808	7
lead.	354	566	373	579	612	808	7
Phys.	376	566	398	579	612	808	7
Rev.	400	566	418	579	612	808	7
B.	421	566	430	579	612	808	7
65(23):1-6.	432	566	478	579	612	808	7
L	82	590	88	603	612	808	7
ong	88	593	103	602	612	808	7
Y,	106	590	115	603	612	808	7
H	118	590	125	603	612	808	7
ashiguchi	125	593	163	602	612	808	7
T,	166	590	174	603	612	808	7
H	177	590	185	603	612	808	7
ashimoto	185	593	221	602	612	808	7
T,	224	590	232	603	612	808	7
O	235	590	242	603	612	808	7
kamura	242	593	274	602	612	808	7
M,	277	590	288	603	612	808	7
S	291	590	297	603	612	808	7
ori	297	593	309	602	612	808	7
N.	111	602	120	615	612	808	7
1995.	123	602	146	615	612	808	7
Specific	148	602	181	615	612	808	7
heat	183	602	200	615	612	808	7
behavior	203	602	238	615	612	808	7
for	241	602	252	615	612	808	7
pseudobinary	255	602	309	615	612	808	7
compounds	111	614	157	627	612	808	7
Er	158	614	168	627	612	808	7
x	168	621	171	629	612	808	7
Dy	171	614	183	627	612	808	7
1-x	183	621	191	629	612	808	7
Sb.	191	614	204	627	612	808	7
J.	206	614	212	627	612	808	7
Appl.	213	614	236	627	612	808	7
Phys.	237	614	259	627	612	808	7
77(5):2214-	261	614	309	627	612	808	7
2216.	111	626	133	639	612	808	7
T	326	590	332	603	612	808	7
ang	332	593	347	602	612	808	7
PJP,	350	590	366	603	612	808	7
P	368	590	374	603	612	808	7
ullin	374	593	395	602	612	808	7
MJ,	397	590	413	603	612	808	7
C	415	590	422	603	612	808	7
hung	422	593	442	602	612	808	7
SJ,	444	590	456	603	612	808	7
P	459	590	464	603	612	808	7
hillips	464	593	490	602	612	808	7
CC,	493	590	509	603	612	808	7
S	511	590	517	603	612	808	7
tradling	517	593	552	602	612	808	7
RA,	354	602	371	615	612	808	7
N	373	602	381	615	612	808	7
orman	381	605	407	614	612	808	7
AG,	409	602	426	615	612	808	7
L	429	602	435	615	612	808	7
i	435	605	437	614	612	808	7
YB,	439	602	456	615	612	808	7
H	459	602	466	615	612	808	7
art	466	605	479	614	612	808	7
L.	482	602	491	615	612	808	7
1995.	494	602	516	615	612	808	7
4-11	519	602	537	615	612	808	7
mu	540	602	552	615	612	808	7
m	354	614	362	627	612	808	7
infrared	367	614	399	627	612	808	7
emission	404	614	439	627	612	808	7
and	444	614	459	627	612	808	7
300	464	614	479	627	612	808	7
K	484	614	491	627	612	808	7
light	496	614	514	627	612	808	7
emitting	519	614	552	627	612	808	7
diodes	354	626	380	639	612	808	7
from	383	626	402	639	612	808	7
arsenic-rich	405	626	452	639	612	808	7
InAs	455	626	474	639	612	808	7
1-x	474	633	482	641	612	808	7
Sb	482	626	493	639	612	808	7
x	493	633	496	641	612	808	7
strained	498	626	530	639	612	808	7
layer	532	626	552	639	612	808	7
superlattices.	354	638	407	651	612	808	7
Semicond.	411	638	454	651	612	808	7
Sci.	459	638	474	651	612	808	7
Tech.	479	638	500	651	612	808	7
10(8):1177-	505	638	552	651	612	808	7
1180.	354	650	376	663	612	808	7
M	82	650	91	663	612	808	7
aayan	91	653	115	662	612	808	7
E,	120	650	129	663	612	808	7
K	134	650	141	663	612	808	7
reini	141	653	160	662	612	808	7
O,	165	650	174	663	612	808	7
B	179	650	186	663	612	808	7
ahir	186	653	203	662	612	808	7
G,	208	650	218	663	612	808	7
S	223	650	228	663	612	808	7
alzman	228	653	258	662	612	808	7
J,	263	650	270	663	612	808	7
E	275	650	281	663	612	808	7
yal	281	653	295	662	612	808	7
A,	299	650	309	663	612	808	7
B	111	662	117	675	612	808	7
eserman	117	665	151	674	612	808	7
R.	155	662	164	675	612	808	7
1994.	169	662	192	675	612	808	7
Selective	196	662	233	675	612	808	7
growth	237	662	266	675	612	808	7
of	270	662	279	675	612	808	7
GaAs/	283	662	309	675	612	808	7
InGaP	111	674	136	687	612	808	7
heterostructures	148	674	211	687	612	808	7
by	223	674	233	687	612	808	7
photo-enhanced	245	674	309	687	612	808	7
organometallic	111	686	170	699	612	808	7
chemical	178	686	214	699	612	808	7
vapor	221	686	244	699	612	808	7
deposition.	251	686	295	699	612	808	7
J.	302	686	309	699	612	808	7
Cryst.	111	698	135	711	612	808	7
Growth.	137	698	170	711	612	808	7
135(1-2):23-30.	173	698	236	711	612	808	7
U	326	674	333	687	612	808	7
dayashankar	333	677	386	686	612	808	7
NK,	394	674	411	687	612	808	7
G	420	674	427	687	612	808	7
opalakrishna	427	677	481	686	612	808	7
K,	489	674	499	687	612	808	7
B	508	674	514	687	612	808	7
hat	514	677	528	686	612	808	7
HL.	537	674	552	687	612	808	7
1999.	354	686	377	699	612	808	7
The	383	686	399	699	612	808	7
Influence	406	686	443	699	612	808	7
of	450	686	458	699	612	808	7
temperature	465	686	513	699	612	808	7
gradient	520	686	552	699	612	808	7
and	354	698	369	711	612	808	7
lowering	373	698	409	711	612	808	7
speed	413	698	436	711	612	808	7
on	441	698	451	711	612	808	7
the	455	698	468	711	612	808	7
melt-solid	472	698	513	711	612	808	7
interface	517	698	552	711	612	808	7
180	311	736	325	749	612	808	7
V	255	48	261	60	612	808	8
elazco	261	51	286	59	612	808	8
R	288	48	294	60	612	808	8
ivero	295	51	314	59	612	808	8
et	317	48	323	60	612	808	8
al.	325	48	335	60	612	808	8
shape	88	86	111	99	612	808	8
of	117	86	126	99	612	808	8
Ga	132	86	144	99	612	808	8
x	144	93	147	101	612	808	8
In	147	86	155	99	612	808	8
1-x	155	93	163	101	612	808	8
Sb	163	86	174	99	612	808	8
alloy	180	86	200	99	612	808	8
crystals	207	86	237	99	612	808	8
grown	244	86	270	99	612	808	8
by	276	86	286	99	612	808	8
vertical	88	98	118	111	612	808	8
Bridgman	123	98	163	111	612	808	8
technique.	167	98	209	111	612	808	8
J.	213	98	220	111	612	808	8
Cryst.	224	98	248	111	612	808	8
Growth.	253	98	286	111	612	808	8
203(3):333-339.	88	110	153	123	612	808	8
W	303	86	313	99	612	808	8
ang	313	89	328	98	612	808	8
Y,	331	86	339	99	612	808	8
Y	343	86	350	99	612	808	8
in	350	89	357	98	612	808	8
H,	361	86	370	99	612	808	8
C	374	86	381	99	612	808	8
ao	381	89	391	98	612	808	8
R,	394	86	403	99	612	808	8
Z	407	86	413	99	612	808	8
ahid	413	89	431	98	612	808	8
F,	434	86	441	99	612	808	8
Z	445	86	451	99	612	808	8
hu	451	89	461	98	612	808	8
Y,	464	86	473	99	612	808	8
L	476	86	482	99	612	808	8
iu	482	89	490	98	612	808	8
L,	493	86	502	99	612	808	8
W	505	86	515	99	612	808	8
ang	515	89	530	98	612	808	8
J,	332	98	338	111	612	808	8
G	343	98	350	111	612	808	8
uo	351	101	361	110	612	808	8
H.	366	98	376	111	612	808	8
2013.	381	98	404	111	612	808	8
Electronic	409	98	450	111	612	808	8
structure	455	98	490	111	612	808	8
of	496	98	504	111	612	808	8
III-V	509	98	530	111	612	808	8
zinc-blende	332	110	378	123	612	808	8
semiconductors	381	110	444	123	612	808	8
from	447	110	466	123	612	808	8
first	469	110	485	123	612	808	8
principles.	488	110	530	123	612	808	8
Phys.	332	122	353	135	612	808	8
Rev.	356	122	374	135	612	808	8
B.	376	122	386	135	612	808	8
87(23):235203-235307.	388	122	483	135	612	808	8
V	60	134	67	147	612	808	8
urgaftman	67	137	111	146	612	808	8
I,	114	134	120	147	612	808	8
M	123	134	131	147	612	808	8
eyer	131	137	150	146	612	808	8
JR,	153	134	166	147	612	808	8
R	168	134	175	147	612	808	8
am	175	137	186	146	612	808	8
-M	186	134	199	147	612	808	8
ohan	199	137	219	146	612	808	8
LR.	222	134	237	147	612	808	8
2001.	240	134	262	147	612	808	8
Band	265	134	286	147	612	808	8
parameters	88	146	132	159	612	808	8
for	137	146	149	159	612	808	8
III-V	154	146	175	159	612	808	8
semiconductors	180	146	243	159	612	808	8
and	248	146	262	159	612	808	8
their	268	146	286	159	612	808	8
alloys.	88	158	114	171	612	808	8
J.	117	158	123	171	612	808	8
Appl.	125	158	148	171	612	808	8
Phys.	150	158	172	171	612	808	8
89(11):5815-5875.	175	158	249	171	612	808	8
Y	303	146	310	159	612	808	8
ang	310	149	326	158	612	808	8
J,	330	146	336	159	612	808	8
H	340	146	347	159	612	808	8
eremans	347	149	381	158	612	808	8
DL,	384	146	400	159	612	808	8
P	404	146	410	159	612	808	8
artin	410	149	431	158	612	808	8
DL,	435	146	451	159	612	808	8
T	454	146	460	159	612	808	8
hrush	460	149	484	158	612	808	8
CM,	488	146	506	159	612	808	8
N	510	146	517	159	612	808	8
aik	517	149	530	158	612	808	8
R.	332	158	341	171	612	808	8
1998.	344	158	367	171	612	808	8
Negative	371	158	407	171	612	808	8
magnetoresistance	411	158	485	171	612	808	8
in	488	158	496	171	612	808	8
(InSb)	500	158	525	171	612	808	8
1.	525	165	530	173	612	808	8
Y	334	170	342	183	612	808	8
at	347	170	354	183	612	808	8
low	356	170	371	183	612	808	8
temperature.	373	170	423	183	612	808	8
J.	425	170	432	183	612	808	8
Appl.	433	170	456	183	612	808	8
Phys.	458	170	480	183	612	808	8
83(4):2041-	482	170	530	183	612	808	8
x	332	177	334	185	612	808	8
x	342	177	345	185	612	808	8
2045.	332	182	354	195	612	808	8
W	60	182	69	195	612	808	8
ang	69	185	84	194	612	808	8
FP,	89	182	101	195	612	808	8
L	106	182	112	195	612	808	8
am	112	185	123	194	612	808	8
WW,	127	182	148	195	612	808	8
S	152	182	158	195	612	808	8
hih	158	185	170	194	612	808	8
I.	175	182	180	195	612	808	8
1999.	185	182	207	195	612	808	8
Crystal	212	182	241	195	612	808	8
growth	245	182	273	195	612	808	8
of	278	182	286	195	612	808	8
Cu(In	88	194	111	207	612	808	8
1-x	111	201	119	209	612	808	8
Ga	119	194	131	207	612	808	8
x	131	201	134	209	612	808	8
)	134	194	137	207	612	808	8
3	137	201	140	209	612	808	8
Se	140	194	150	207	612	808	8
5	150	201	153	209	612	808	8
by	155	194	165	207	612	808	8
horizontal	168	194	208	207	612	808	8
Bridgman	211	194	251	207	612	808	8
method.	254	194	286	207	612	808	8
J.	88	206	94	219	612	808	8
Cryst.	97	206	121	219	612	808	8
Growth.	123	206	157	219	612	808	8
200(1-2):137-142.	159	206	233	219	612	808	8
181	289	736	303	749	612	808	8
