Составной транзистор
Составной транзистор (или схема) Дарлингтона (часто — пара Дарлингтона) была предложена в 1953 году инженером Bell Laboratories Сидни Дарлингтоном (Sidney Darlington). Схема является каскадным соединением двух (редко — трех или более) биполярных[1] транзисторов, включённых таким образом, что нагрузкой в эмиттерной цепи предыдущего каскада является переход база-эмиттер транзистора последующего каскада (то есть эмиттер предыдущего транзистора соединяется с базой последующего), при этом коллекторы транзисторов соединены. В этой схеме ток эмиттера предыдущего транзистора является базовым током последующего транзистора.
Леговец, Курт
30 июня 1948 года Bell Labs объявило об изобретении транзистора, и государственные лаборатории начали жёсткое соперничество за ещё не выделенные бюджеты на работы по транзисторам[3]. Леговец попал в самый центр чиновничьих усобиц: его рабочее время поделили между двумя конкурирующими лабораториями[3]. Два дня в неделю Леговец работал в Форт-Монмуте, два дня — в [3]. Обнаружив в Кэмп-Эвансе образцы карбида кремния (SiC), Леговец повторил известный из литературы опыт О. В. Лосева[3]. При пропускании через кристалл SiC электрического тока отдельные области кристалла светились ярким жёлтым светом[3]. Директор лабораторий Корпуса связи поддержал это направление исследований, и в декабре 1950 года Леговец, Карл Аккардо и Эдвард Джамгочян впервые[11] представили публике теоретическую модель излучения света в полупроводниках[12] (опубликована в 1951 году[13]). По Леговцу, излучение порождалось рекомбинацией электронов и дырок на p-n-переходе. Работы Леговца, Аккардо и Джамгочяна выдержали испытание временем[14] и стали теоретическим фундаментом индустрии светодиодов[12].