Составной транзистор
Составной транзистор (или схема) Дарлингтона (часто — пара Дарлингтона) была предложена в 1953 году инженером Bell Laboratories Сидни Дарлингтоном (Sidney Darlington). Схема является каскадным соединением двух (редко — трех или более) биполярных[1] транзисторов, включённых таким образом, что нагрузкой в эмиттерной цепи предыдущего каскада является переход база-эмиттер транзистора последующего каскада (то есть эмиттер предыдущего транзистора соединяется с базой последующего), при этом коллекторы транзисторов соединены. В этой схеме ток эмиттера предыдущего транзистора является базовым током последующего транзистора.
Фотоэкспонометр
Необходимость использования громоздкой батареи делала его малопригодным для измерений вне помещения. Решением проблемы стало изобретение в конце 1920-х годов магнитного сплава альнико, позволившего создать чувствительные гальванометры, способные измерять слабый фототок селеновых фотоэлементов. Одним из первых селеновых безбатарейных экспонометров стал «Weston» модели 617, выпущенный компанией Weston Electrical Instruments в августе 1932 года. Отсутствие батарей позволило уменьшить прибор до карманных размеров. В СССР первый фотоэлектрический экспонометр с селеновым фотоэлементом «НКАП-149» был создан ГОИ к началу 1940-х годов. Три последующих десятилетия все фотоэлектрические экспонометры строились по принципу непосредственного измерения фототока. Из-за низкой удельной чувствительности селеновые фотоэлементы были громоздкими и не позволяли измерять небольшие яркости с достаточной точностью.
Появление в 1960-х годах сернисто-кадмиевых фоторезисторов, требующих маломощных источников питания, позволило вернуться к принципу «Электрофота». Высокая удельная чувствительность фоторезисторов позволила получить компактный датчик и резко повысить точность измерения, как при дневном освещении, так и в помещении и даже ночью. Поэтому фоторезисторные экспонометры очень быстро вытеснили селеновые, фотоэлемент которых с течением времени деградирует и приходит в негодность. Небольшие размеры полупроводниковых сенсоров позволили устанавливать их даже в оптический тракт зеркального видоискателя, создав TTL-экспонометр.