Видлар, Роберт
Ро́берт Джон Ви́длар (Уа́йдлер[1], 1937—1991) — американский инженер в области электроники, основоположник схемотехники аналоговых интегральных схем[2]. Видлар выполнил свои важнейшие работы в 1964—1970 годах в союзе с технологом Дэвидом Тэлбертом. Видлар разработал, а Тэлберт довёл до серийного выпуска первый интегральный операционный усилитель (ОУ) μA702 (1964), первый массовый интегральный ОУ μA709 (1965), первый ОУ второго поколения LM101 (1967), первый интегральный стабилизатор напряжения LM100 (1966) и первый трёхвыводной стабилизатор LM109 (1970). Они первыми применили в аналоговых схемах пинч-резисторы, полевые транзисторы, многоколлекторные и супер-бета биполярные транзисторы. Видлар — изобретатель названных его именем источника стабильного тока (1964), источника образцового напряжения (1969) и выходного каскада усиления (1977). Все современные схемы интегральных источников опорных токов и напряжений опираются на разработки Видлара 1960-х годов[3].
Видлар, Роберт
В 1968—1969 годах Видлар и Тэлберт изобрели и отладили в производстве новые активные приборы — «супер-бета-транзисторы» (биполярные npn-транзисторы со сверхтонким слоем базы и коэффициентом усиления свыше тысячи), многоколлекторный биполярный транзистор и эпитаксиальный полевой транзистор (epiFET)[63]. В феврале 1969 вышел разработанный Видларом при участии Квамме LM108 — первый операционный усилитель на супер-бета-транзисторах[64]. В декабре 1969 года National выпустила новый ОУ Видлара и Добкина, LM101A — функциональный эквивалент LM101 на новой элементной базе, а в 1970 году вышла его версия со встроенной корректирующей ёмкостью — LM107[65]. Новый, шестимасочный технологический процесс Тэлберта позволил впервые реализовать на одном кристалле и пинч-резисторы, и полевые транзисторы, и супер-бета-транзисторы, и боковые pnp-транзисторы с коэффициентом усиления по току свыше 100. Количество транзисторов, «обслуживающих» источники тока LM101A, было уменьшено за счёт использования многоколлекторных pnp-транзисторов[66]. Входное сопротивление ОУ, не использовавшего на входе составные транзисторы, впервые превысило рубеж в 1 МОм[47].