Составной транзистор
Составной транзистор (или схема) Дарлингтона (часто — пара Дарлингтона) была предложена в 1953 году инженером Bell Laboratories Сидни Дарлингтоном (Sidney Darlington). Схема является каскадным соединением двух (редко — трех или более) биполярных[1] транзисторов, включённых таким образом, что нагрузкой в эмиттерной цепи предыдущего каскада является переход база-эмиттер транзистора последующего каскада (то есть эмиттер предыдущего транзистора соединяется с базой последующего), при этом коллекторы транзисторов соединены. В этой схеме ток эмиттера предыдущего транзистора является базовым током последующего транзистора.
Писаревский, Александр Моисеевич
Вопрос о выборе материала индикаторного электрода в редокс-измерениях многие годы привлекал внимание учёных (в частности  академиков Б.П. Никольского, А.Н. Фрумкина) как составная часть теории потенциометрических измерений и как важнейший элемент в решении практических задач. Исследования в этом направлении, проводимые в течение нескольких лет и с разными подходами, всё-таки оставили открытым основной вопрос: нужны ли новые индикаторные электроды в редокс-измерениях, в каких областях они могут составить конкуренцию традиционным платиновым (если исключить некоторые особые случаи) и каким требованиям они должны удовлетворять. В ходе обширного экспериментального и глубокого теоретического рассмотрения, осуществлённого под руководством  А.М. Писаревского, им были сформулированы важные положения, отвечающие на этот вопрос:
Понятие «селективность индикаторного электрода к данной окислительно-восстановительной (ОВ) системе» введено А.М. Писаревским в 1988 году [16] впервые в мировой литературе на количественном уровне. 