Составной транзистор
Составной транзистор (или схема) Дарлингтона (часто — пара Дарлингтона) была предложена в 1953 году инженером Bell Laboratories Сидни Дарлингтоном (Sidney Darlington). Схема является каскадным соединением двух (редко — трех или более) биполярных[1] транзисторов, включённых таким образом, что нагрузкой в эмиттерной цепи предыдущего каскада является переход база-эмиттер транзистора последующего каскада (то есть эмиттер предыдущего транзистора соединяется с базой последующего), при этом коллекторы транзисторов соединены. В этой схеме ток эмиттера предыдущего транзистора является базовым током последующего транзистора.
Изобретение транзистора
Параллельно с совершенствованием биполярного транзистора продолжалась и работа по полевым транзисторам. В течение десяти лет (1948—1958) она оставалась безрезультатной из-за отсутствия подходящих диэлектриков. Затем события резко ускорились. В 1958 году Станислав Тезнер выпустил на французском отделении General Electric «Технитрон» ("Technitron") — первый серийный, сплавной полевой транзистор. Это был несовершенный германиевый прибор, отличавшийся высокими токами утечки при малой крутизне характеристики. В 1959 году RCA выпустила тонкоплёночный полевой транзистор на сульфиде кадмия. В 1960 году американская Crystalonics выпустила серийный сплавной полевой транзистор на p-n-переходе с уровнем шумов ниже, чем у биполярных транзисторов. В 1962 году Texas Instruments выпустила первый "планарный" полевой транзистор на p-n-переходе.