Составной транзистор
Составной транзистор (или схема) Дарлингтона (часто — пара Дарлингтона) была предложена в 1953 году инженером Bell Laboratories Сидни Дарлингтоном (Sidney Darlington). Схема является каскадным соединением двух (редко — трех или более) биполярных[1] транзисторов, включённых таким образом, что нагрузкой в эмиттерной цепи предыдущего каскада является переход база-эмиттер транзистора последующего каскада (то есть эмиттер предыдущего транзистора соединяется с базой последующего), при этом коллекторы транзисторов соединены. В этой схеме ток эмиттера предыдущего транзистора является базовым током последующего транзистора.
Леговец, Курт
В конце 1958 года Торкел Уолмарк из RCA представил в Принстоне доклад о перспективах развития электроники, в котором перечислил основные проблемы, препятствовавшие созданию интегральной схемы[25] (словосочетание интегральная схема ещё не вошло в употребление, но идея интеграции активно обсуждалась начиная, как минимум, с 1952 года[26]). Одним из этих фундаментальных препятствий была невозможность электрической изоляции элементов, сформированных на одном кристалле полупроводника[27]). Германиевый кристалл первой интегральной схеме Джека Килби — брусок длиной 10 мм и шириной 1,6 мм[28] — фактически представлял собой один резистор. Благодаря электрическим отводам он выполнял функции трёх последовательно соединённых резисторов, но он не мог заместить даже двух изолированных резисторов. Единственной альтернативой считалось физическое разделение кристалла. Например, в первой планарной микросхеме Fairchild (май-октябрь 1960 года) сверхтонкая (80 микрон) пластина со сформированными транзисторами разрезалась травлением на отдельные приборы, которые потом «замоноличивались» эпоксидной смолой.